[发明专利]一种制备细晶高致密度TZM合金的方法无效
| 申请号: | 201210001409.6 | 申请日: | 2012-01-05 |
| 公开(公告)号: | CN102534333A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
| 发明(设计)人: | 王快社;王鹏洲;张郑;胡平;张兵;康轩齐;何欢承 | 申请(专利权)人: | 西安建筑科技大学 |
| 主分类号: | C22C27/04 | 分类号: | C22C27/04;C22C1/04 |
| 代理公司: | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人: | 李郑建 |
| 地址: | 710055*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 制备 细晶高 致密 tzm 合金 方法 | ||
技术领域
本发明属于采用粉末冶金方法制备难熔金属合金领域,涉及TZM合金的制备,特别是一种制备细晶高致密度TZM合金的方法。
背景技术
钼合金是以钼为基体加入其它元素而构成的有色合金。由于具有优良的高温力学性能,以TZM(Titanium-Zirconium-Molybdenum Allo)为代表的钼合金,可以广泛用于航空航天工业、核能工业以及电子工业等领域。目前制备TZM合金主要采用熔炼法和粉末冶金法。熔炼法是将纯钼和一定量的Ti、Zr等元素在真空或惰性气体保护下进行熔炼,然后采用铸造和机械加工等方式制得TZM坯料。粉末冶金法是用高纯钼粉与TiH2粉、ZrH2粉及喷雾碳黑粉按比例均匀混合后经冷等静压或模压成型,然后在保护气氛下高温烧结,得到TZM坯料。采用粉末冶金法制备TZM合金可以节省真空自耗电弧炉和挤压机等大型设备,工艺生产周期短,消耗低,生产能力和成品率高,成本大大降低。
目前对于TZM合金制备技术存在的问题是晶粒粗大,孔隙率大,合金密度较低,影响了TZM合金的力学性能。掺杂稀土氧化物是细化TZM合金晶粒并提高其致密度的有效方法。因为稀土氧化物粒子作为第二相弥散分布于钼粉的表面,对烧结过程中钼晶粒原始晶界形核和长大起阻碍作用,抑制晶粒长大;高温烧结时物质的扩散和流动充分进行,弥散的稀土氧化物粒子填充于烧结孔中,使烧结TZM合金密度增加。
掺杂稀土氧化物的关键在于稀土氧化物分布均匀性的控制,掺杂稀土氧化物的优点是操作简单,掺杂量易控制,掺杂工艺最简便,设备投资少,易于组织生产。
发明内容
针对上述现有技术存在的缺陷或不足,本发明的目的在于,提出一种制备细晶高致密度TZM合金的方法。该方法用粉末冶金工艺制备出了掺杂稀土氧化物La2O3的TZM合金,满足企业对细晶、高致密度TZM合金材料的需求。
为了实现上述任务,本发明采取如下的技术解决方案:
一种制备细晶高致密度TZM合金的方法,其特征在于,具体制备过程依次包括以下步骤:
步骤一,原料选择:
钼粉:纯度≥99.96%,松装密度0.95g/cm3~1.40g/cm3,粒度2.0μm~3.5μm;
La2O3粉末:纯度为99.99%,粒度为0.5μm~2μm;
TiH粉末:纯度≥99.5%,粒度为5~8μm;
ZrH2粉末:纯度≥99.5%,粒度为5~8μm;
石墨粉:纯度≥99.5%,最大粒度不超过10μm;
步骤二,按照以下质量百分比进行配比:TiH2粉末:0.45%~0.65%,ZrH2粉末:0.06%~0.14%,石墨粉:0.02%~0.06%,La2O3粉:0.5~1.5%,余量为钼粉,原料的百分比之和为100%;
步骤三,将配方量的各原料装入三维混料机中,以转速30r/min~60r/min混合1~4小时,得到混合均匀的合金粉末;
步骤四,将合金粉末装入球磨机内进行球磨,球磨机转速为30r/min~200r/min,球磨机内放置有直径为10mm的钼球,钼球与合金粉末的质量比为2∶1,球磨时间2小时~24小时;
步骤五,球磨后的合金粉采用模压或者等静压法压制成坯料,压力为20Mpa~200Mpa,保压时间为5s~60s;
步骤六,将压制好的坯料进行预烧,保护气氛为真空、氢气或者惰性气体,预烧结温度为1000℃~1200℃,保温1小时~4小时;
步骤七,将预烧后的坯料进行高温烧结,保护气氛为真空、氢气或者惰性气体,最高烧结温度为1800℃~2000℃;高温烧结采用阶梯式烧结方式,即加热到1200℃~1500℃时,每隔100℃保温2~3小时,加热到1500℃~1800℃时,每隔150℃保温2~4小时,最后在1800℃~2000℃下保温5-8小时,即得到细晶高致密度TZM合金。
本发明的制备细晶高致密度TZM合金的方法,与现有TZM合金制备技术相比,具有如下优点:
1、在传统粉末冶金的基础上通过掺杂稀土氧化物La2O3粉末,细化晶粒,使得制备的TZM合金晶粒细小。
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