[发明专利]透明导电薄膜无效
申请号: | 201210001244.2 | 申请日: | 2012-01-04 |
公开(公告)号: | CN103198873A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 邓建东;徐伟伦 | 申请(专利权)人: | 造能科技有限公司 |
主分类号: | H01B1/02 | 分类号: | H01B1/02;H01B1/08;H01B5/00;H01B5/14;H01G9/042 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 导电 薄膜 | ||
技术领域
本发明涉及一种透明导电薄膜。
背景技术
举凡现有半导体光电装置,例如显示装置、触控装置、发光装置或光伏电池,其皆具有一导电基板以协助电子的传递。其中,导电基板包含一透光导电薄膜以及一基板,透光导电薄膜设置于基板上。透光导电薄膜又称为透光导电氧化物(TCO),这是因为现有的透光导电薄膜的材料主要为金属氧化物,常用的材料有ITO、In2O3、SnO2、ZnO、CdO、AZO、及IZO等。
然而,现有的透光导电薄膜虽然可达到透光目的,但其电阻值却太高,可达到10~100Ω/sq,这也造成信号传递速度以及反应速度下降,因而使产品效能降低。故,现在业界极力发展具有低电阻值的材料来制造透光导电薄膜。
发明内容
有鉴于上述课题,本发明的目的在于提供一种能够降低电阻值的透明导电薄膜。
为达上述目的,依据本发明的一种透明导电薄膜,其包含银-锡化三银-氧化锡的至少一叠层、或银-锡化四银-氧化锡的至少一叠层。
在一实施例中,银层的厚度介于2nm至15nm之间。
在一实施例中,锡化三银层或该锡化四银层的厚度介于1nm至3nm之间。
在一实施例中,透明导电薄膜可滤除红外光或紫外光。
在一实施例中,透明导电薄膜可应用于一触控面板、一显示面板或一光伏电池。
在一实施例中,透明导电薄膜还包含一结构层,其邻设于该银层或该氧化锡层。在一实施例中,结构层为单一层或一叠层。
在一实施例中,结构层包含金属、金属氧化物、光学材料、陶瓷、或其组合。
在一实施例中,至少一叠层与结构层相互叠设。
在一实施例中,当结构层为复数时,至少一叠层设置于该等结构层之间。
承上所述,通过不断的努力与研究,将透明导电薄膜的材料改成锡化三银或锡化四银,即可大幅增加透明导电薄膜的导电率并使电阻值下降。本发明的透明导电薄膜包含银-锡化三银-氧化锡的至少一叠层、或银-锡化四银-氧化锡的至少一叠层,使得电阻值可例如降低至1Ω/平方,进而大幅提升信号传递与反应速度。此外,含有锡化三银或锡化四银的透光导电薄膜也可达到滤除红外光(IR-Cut)及/或滤除紫外光(UV-Cut)的功效。通过滤除红外光或紫外光,使得应用本发明的半导体光电装置(例如光伏电池、触控面板或显示面板)能够避免红外光或紫外光照射所造成的黄化。
附图说明
图1A至图1E为本发明较佳实施例的一种透明导电薄膜的示意图;
图2为本发明较佳实施例的一种透明导电薄膜设置于一基板的示意图;
图3A及图3B为形成介金属的示意图;
图4及图5为本发明较佳实施例的一种透明导电薄膜应用于光伏电池的示意图;以及
图6为本发明较佳实施例的一种透明导电薄膜应用于一显示面板的示意图。
主要元件符号说明
11、311、321:基板
12、12a~12d:透明导电薄膜
121:结构层
122:银
123:锡化三银
124:氧化锡
2:光伏电池
201:第一导电基板
202:第二导电基板
203:染料层
204:催化层
205:第一导电层
206:第二导电层
207:框胶
208:电解质
209:第一导线
210:第二导线
211:第一导电通孔
212:第二导电通孔
213:连结胶
3:液晶显示面板
31:薄膜晶体管基板
32:彩色滤光基板
33:液晶层
312:薄膜晶体管阵列
322:共同电极
A:银
B:锡
C1、C2:集电部
D:间距
P:染料部
S:绝缘保护层
具体实施方式
以下将参照相关附图,说明依本发明较佳实施例的一种导电基板以及光伏电池,其中相同的元件将以相同的参照符号加以说明。
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