[发明专利]一种电容式微机电超声传感器及其制作方法无效
申请号: | 201210001068.2 | 申请日: | 2012-01-04 |
公开(公告)号: | CN102538850A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 高毅品;陈力;黄勇力 | 申请(专利权)人: | 无锡智超医疗器械有限公司 |
主分类号: | G01D5/48 | 分类号: | G01D5/48;B81C1/00 |
代理公司: | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人: | 夏晏平 |
地址: | 214000 江苏省无锡市无锡新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电容 式微 机电 超声 传感器 及其 制作方法 | ||
1.一种电容式微机电超声传感器,其特征在于,包括至少两个基元,每个基元具有第一电极和第二电极,在每个基元的第一、第二电极之间具有一个等效传感空间;其中至少有两个基元的等效传感空间不一样。
2.根据权利要求1所述的电容式微机电超声传感器,其特征在于,每个基元具有一个均匀的等效传感空间;其中至少有两个基元的等效传感空间的高度不一样,形成超声传感器等效传感效应的不均匀分布。
3.根据权利要求2所述的电容式微机电超声传感器,其特征在于,每个基元的第一、第二电极均为平面电极,在第一、第二电极之间形成均匀等效传感空间。
4.根据权利要求1所述的电容式微机电超声传感器,其特征在于,每个基元具有一个不均匀的等效传感空间;其中至少有两个基元的等效传感空间不均匀部分的相对比例不一样,形成超声传感器等效传感效应的不均匀分布。
5.根据权利要求4所述的电容式微机电超声传感器,其特征在于,每个基元的第一、第二电极之间形成不均匀等效传感空间;该不均匀的等效传感空间中,包括至少两种不同的等效传感空间高度。
6.根据权利要求5所述的电容式微机电超声传感器,其特征在于,在每个基元的第一、第二电极中,至少有一个非平面电极;该非平面电极有至少两种不同空间高度,在第一、第二电极间形成不均匀等效传感空间高度。
7.根据权利要求5所述的电容式微机电超声传感器,其特征在于,每个基元的第一、第二电极之间的传感空间中有一个不均匀的介质绝缘层;该介质绝缘层有至少两种不同厚度,形成超声传感器不均匀等效传感空间高度。
8.根据权利要求1所述的电容式微机电超声传感器,其特征在于,在至少两个基元中,第一个基元相对位于传感器中间,第二个基元相对位于传感器边上;第一个基元的传感空间和第二个基元的传感空间不一样,且第一个基元的传感效应高于第二个基元的传感效应,形成超声传感器等效传感效应中间较高边上较低的不均匀分布。
9.根据权利要求2或4所述的电容式微机电超声传感器的制作方法,其特征在于,采用微机电制作工艺,制作具有不均匀传感效应的传感器,具体步骤如下:
(1)由硅片作为传感器的第一电极基片,在第一电极基片上形成多个不同深度或宽度的凹处;
(2)在第一电极基片上,形成支撑物;
(3)在支撑物上,形成一层薄膜或薄板;
(4)在薄膜或薄板上,形成一个导电层,作为第二电极。
10.根据权利要求9所述的电容式微机电超声传感器的制作方法,其特征在于,在具有凹处的第一电极基片或薄膜或薄板表面,生长一层绝缘层,作为传感器两电极之间的绝缘保护层。
11.根据权利要求9所述的电容式微机电超声传感器的制作方法,其特征在于,步骤(1)中在基片上形成多个不同深度或宽度的凹处的操作,具体如下:
在基片上生成氧化扩散阻挡层,再根据预设形状刻蚀氧化扩散阻挡层;然后在整个基片上生长一层氧化物,得到所需在基片上的凹处。
12.根据权利要求11所述的电容式微机电超声传感器的制作方法,其特征在于,基片用硅材料制成,氧化扩散阻挡层为氧化硅,氧化物为氧化硅。
13.根据权利要求11所述的电容式微机电超声传感器的制作方法,其特征在于,基片用硅材料制成,氧化扩散阻挡层为氧化硅和氮化硅,氧化物为氧化硅。
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