[发明专利]用于微光刻的掩模和扫描投射曝光方法

权利要求书

1.一种用于微光刻的掩模，包含：

基板(SUB)；

位于所述基板上的第一图案区域(PA1)，所述第一图案区域包含第一图案(PAT1)，所述第一图案在掩模扫描方向上延伸第一长度(L1)且在垂直于所述掩模扫描方向的方向上延伸第一宽度(W1)；

位于所述基板上的第二图案区域(PA2)，所述第二图案区域在所述掩模扫描方向上邻近所述第一图案区域，所述第二图案区域包含第二图案(PAT2)，所述第二图案在所述掩模扫描方向上延伸第二长度(L2)且在垂直于所述掩模扫描方向的方向上延伸等于所述第一宽度的第二宽度(W2)，

其中，所述第二长度(L2)小于所述第一长度(L1)，所述第二图案与所述第一图案的对应部分相同，其中，所述对应部分关于所述第二图案在所述掩模扫描方向上偏移所述第一长度(L1)，并具有等于所述第二长度(L2)的长度(CPL)。

2.如权利要求1所述的掩模，其中，L1/L2为所述第一长度(L1)与所述第二长度(L2)之间的长度比，并且其中，66mm≤L1≤132mm以及16mm≤L2≤32mm的条件适用，其中所述长度比优选地在132/16至132/32的范围内。

3.如权利要求1或2所述的掩模，还包含：

位于所述基板上的第三图案区域(PA3)，所述第三图案区域在所述掩模扫描方向上邻近所述第一图案区域，与所述第二图案区域(PA2)相对，所述第三图案区域包含第三图案(PAT3)，所述第三图案在所述掩模扫描方向上延伸第三长度(L3)且在垂直于所述掩模扫描方向的方向上延伸等于所述第一宽度的第三宽度，其中所述第三长度(L3)小于所述第一长度(L1)，所述第三图案与所述第一图案的对应部分相同，其中所述对应部分关于所述第三图案在所述掩模扫描方向上偏移所述第一长度(L1)，并具有等于所述第三长度(L3)的长度(CPL3)。

4.如权利要求3所述的掩模，其中，所述第二长度(L2)对应于所述第三长度(L3)。

5.如前述权利要求中任一项所述的掩模，其中，所述掩模是反射式掩模。

6.如权利要求1至4中任一项所述的掩模，其中，所述掩模是透射式掩模。

7.一种扫描投射曝光方法，用于以布置在投射物镜的物面区域中的掩模图案的至少一个像曝光布置在所述投射物镜的像面区域中的辐射敏感基板，包含：

产生照明光束，所述照明光束在所述图案(PAT)所在的平面(OS)中具有狭缝形横截面，其中照明狭缝(ILS)在指定时刻的有效长度和宽度尺寸由掩模母版遮蔽装置(RMD)控制，所述掩模母版遮蔽装置设置在光源(S)和所述掩模之间的照明系统(ILL)中；

通过在相应扫描方向上在所述投射物镜的物面中相对于所述照明光束移动所述掩模且同时在所述投射物镜的像面中相对于所述投射光束移动所述基板，在扫描操作中逐渐曝光所述基板上的曝光区域；

其中，所述基板包含第一曝光区域(EA1)和在所述扫描方向上邻近所述第一曝光区域的第二曝光区域(EA2)，

其中，在第一扫描方向上在单个连续第一扫描操作中曝光整个第一曝光区域(EA1)和邻近所述第一曝光区域的第二曝光区域(EA2)的第一部分(P1)，并且

其中，所述第一扫描操作在整个第二曝光区域(EA2)完全曝光之前停止，使得所述第二曝光区域仅部分曝光。

8.如权利要求7所述的方法，其中，在所述第一扫描操作期间控制辐射剂量，使得所述第一部分(P1)中接收的辐射剂量根据第一辐射剂量分布从邻近所述第一曝光区域(EA1)的一侧朝向所述第二曝光区域的与所述第一曝光区域相对的第二部分(P2)连续减少。

9.如权利要求7或8所述的方法，其中，所述掩模遮蔽装置(RMD)在完整照明狭缝长度处保持完全打开，所述掩模遮蔽装置上的光通量在第一扫描操作结束时终止，使得没有进一步的辐射入射到所述第一部分(P1)上。

10.如权利要求9所述的方法，其中，通过关闭光源或通过关闭布置在所述光源和所述掩模遮蔽装置之间的快门来终止所述光通量。