[发明专利]封装上受控的管芯上焊料集成及其装配方法

说明书

一种使管芯背侧凸起的工艺包括在管芯背侧膜(DBF)中开凹槽以显露管芯中的硅通孔(TSV)接触，之后用接触TSV接触的传导材料填充凹槽。加焊耦合到在DBF的层次的传导材料。后续管芯耦合到在加焊的第一管芯以形成由TSV接触、传导材料、加焊、耦合到所述后续管芯的电凸起组成的电耦合。使用工艺来装配设备和计算机系统。

技术领域

公开的实施例涉及经图案化以显露硅通孔接触的管芯背侧膜以及将堆叠的管芯耦合到通孔接触的方法。

附图说明

为了理解获得实施例的方式，将参照附图中提供上面简要描述的各种实施例的更具体描述。这些附图示出不一定按比例绘出并且不是要被视为限制范围的实施例。一些实施例将通过使用附图，通过另外的特征和细节进行描述和解释，其中：

图1是根据示例实施例，包括带有受控沉积物焊料耦合的嵌入式管芯的设备的横截面正视图；

图2a是根据示例实施例，在受控沉积物焊料耦合的形成期间嵌入式管芯的横截面正视图；

图2b是根据示例实施例，在进一步加工期间图2a所示嵌入式管芯的横截面正视图；

图2c是根据示例实施例，在进一步加工期间图2b所示嵌入式管芯的横截面正视图；

图2d是根据示例实施例，在进一步加工期间图2b所示嵌入式管芯的横截面正视图；

图2e是根据示例实施例，在进一步加工期间图2d所示嵌入式管芯的横截面正视图；

图3b是根据示例实施例，在进一步加工期间图2a所示嵌入式管芯的横截面正视图；

图3c是根据示例实施例，在进一步加工期间图3b所示嵌入式管芯的横截面正视图；

图3d是根据示例实施例，在进一步加工期间图3c所示嵌入式管芯的横截面正视图；

图4b是根据示例实施例，在进一步加工期间图2a所示嵌入式管芯的横截面正视图；

图4c是根据示例实施例，在进一步加工期间图4b所示嵌入式管芯的横截面正视图；

图4d是根据示例实施例，在进一步加工期间图4c所示嵌入式管芯的横截面正视图；

图5是根据示例实施例，包括带有受控沉积物焊料耦合的嵌入式管芯的设备的横截面正视图；

图6d是根据示例实施例，在受控沉积物焊料加工已完成后可在前面公开的加工后的受控沉积物焊料耦合的形成期间，嵌入式管芯的横截面正视图；

图6e是根据示例实施例，在进一步加工期间图6d所示嵌入式管芯的横截面正视图；

图7是根据示例实施例，包括带有受控沉积物焊料耦合的嵌入式管芯的设备的横截面正视图；

图7是根据示例实施例，包括带有受控沉积物焊料耦合的嵌入式管芯的设备的横截面正视图；

图8是根据示例实施例，包括带有受控沉积物焊料耦合的嵌入式管芯的设备的横截面正视图；

图9a和9b根据示例实施例，示出用于将传导材料插入管芯背侧膜凹槽的工艺流程；

图10a和10b根据示例实施例，示出用于将传导材料插入管芯背侧膜凹槽的工艺流程；

图11a和11b根据示例实施例，示出用于将传导材料插入管芯背侧膜凹槽的工艺流程；

图12是根据示例实施例的显微照片的计算机再现；

图13是根据示例实施例的显微照片的计算机再现；

图14是根据示例实施例的显微照片的计算机再现；

图15是根据示例实施例的显微照片的计算机再现；