[发明专利]测定构造体、其制造方法及使用该测定构造体的测定方法

说明书

技术领域

本发明涉及测定构造体、其制造方法及使用该测定构造体的测定方法。

背景技术

以往，为了分析物质的特性，采用如下方法：将被测定物保持于空隙配置构造体，对保持着该被测定物的空隙配置构造体照射电磁波，对其透射率光谱进行解析来测定被测定物的特性。具体而言，可举出如下方法等：例如，对附着有作为被测定物的蛋白质等的金属网过滤器照射太赫波来解析透射率光谱。

在此，本发明人得知有如下倾向：使用的电磁波的波长越短，被测定物的检测灵敏度越高。但是，在使用较短波长的电磁波的情况下，需要减薄空隙配置构造体的厚度，其厚度成为例如100nm～20μm左右的量级。若要将这样薄的金属网等不弯曲地形成数mm见方或数CllI见方，在现实中非常困难。

因此，在使用这样薄的空隙配置构造体的情况下，为了使得空隙配置构造体不弯曲，需要用于将空隙配置构造体粘贴固定的支承基材(树脂膜等)。

在专利文献1(日本特开2007-010366号公报)中公开了如下方法：在具有空隙区域的空隙配置构造体(例如金属网)和紧贴于空隙配置构造体的基材上保持被测定物，向保持着被测定物的空隙配置构造体照射电磁波，检测透过了空隙配置构造体的电磁波，从而根据因被测定物的存在而引起的频率特性的变化来测定被测定物的特性。在此，空隙配置构造体的主面中的一个面成为完全粘贴于基材的状态。需要说明的是，专利文献1的基材主要是用于吸附被测定物，有时在基材上预先涂布有用于选择性地吸附被测定物的物质。

但是，在使用这样的支承基材的情况下存在如下问题：如图14所示，由于空隙配置构造体1的主面10a、10b中的一个面10b成为完全粘贴于支承基材2的状态，因此在该一个面上无法保持被测定物，无法将灵敏度最高的空隙配置构造体的主面附近的区域高效率地用于测定。在上述的测定方法中，通过在空隙配置构造体的表面局部存在的电磁场与被测定物相互作用，从而引起频率特性的变化，这是因为，局部存在的电磁场在空隙配置构造体的两主面的表面附近最强，随着远离表面而呈指数函数方式地衰减。

专利文献1：日本特开2007—010366号公报

发明内容

本发明的目的在于提供一种即使在被测定物的量为微量的情况下，也能实现高灵敏度、高效率的被测定物的特性测定的测定构造体、其制造方法及使用该测定构造体的测定方法。

本发明的测定构造体，包括具有多个空隙部的金属制的空隙配置构造体；支承所述空隙配置构造体的支承基材，其特征在于，

所述测定构造体用于如下的测定方法：对保持着被测定物的所述测定构造体照射电磁波，通过检测透过了所述测定构造体的电磁波、或从所述测定构造体反射的电磁波的频率特性而测定被测定物的特性，

所述空隙配置构造体的所述支承基材侧的主面的至少一部分与所述支承基材接合，

所述空隙配置构造体的空隙部的主面中的所述支承基材侧的主面的至少一部分不与所述支承基材接触。

优选上述支承基材由以硅或硅化合物为主成分的材料构成。

此外，本发明也涉及上述的测定构造体的制造方法，包括如下步骤：

在板状或膜状的支承基材的表面形成具有多个空隙部的金属制的空隙配置构造体；

通过经由所述空隙配置构造体的空隙部的蚀刻，在厚度方向上切削所述支承基材而形成凹部。

此外，本发明还涉及一种测定方法，在上述测定构造体的所述空隙部保持被测定物，对保持着所述被测定物的所述测定构造体照射电磁波，通过检测透过了所述测定构造体的电磁波或从所述测定构造体反射的电磁波的频率特性而测定被测定物的特性。

根据本发明，通过使检测灵敏度最高的空隙配置构造体的主面附近区域为什么都没有的状态，由此提高检测灵敏度。此外，能够使空隙配置构造体的主面附近区域的两面都用于保持被测定物，结果可提高检测灵敏度。由此，在被测定物的量是微量(距离空隙配置构造体的表面的厚度薄)的情况下，也能实现高灵敏度、高效率的被测定物的特性测定。

此外，本发明的测定构造体可以通过经由空隙配置构造体的空隙部的蚀刻而在厚度方向上切削基材的步骤来制作，因此可以使用MEMS(Micro Electro Mechanical System)技术等通用技术而简单地制造。

而且，本发明的测定构造体中，由于在支承基材的空隙配置构造体侧具有凹部(空隙配置构造体的空隙部的主面中的不与上述支承基材侧的主面接触的部分)，因此在被测定物(被检体)是液体的情况下，能够将该凹部用作收容被测定物的容器，所以是合适的。

附图说明