[发明专利]可变增益放大器及接收装置无效
申请号: | 201180058027.0 | 申请日: | 2011-09-26 |
公开(公告)号: | CN103503311A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 天野真司 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H03G3/20 | 分类号: | H03G3/20 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 可变 增益 放大器 接收 装置 | ||
1.一种可变增益放大器,其特征在于,包括:
第一及第二可变增益放大器;以及
控制电路,该控制电路将控制所述第一可变增益放大器的增益的信号即第一增益控制信号输出到所述第一可变增益放大器,并且将控制所述第二可变增益放大器的增益的信号即第二增益控制信号输出到所述第二可变增益放大器,
所述第一可变增益放大器包括第一可变电导电路,该第一可变电导电路是具有作为整个电路的可变电导的电路,
所述第二可变增益放大器包括第二可变电导电路,该第二可变电导电路是具有作为整个电路的可变电导的电路,
所述第一可变电导电路的电导的最大值比所述第二可变电导电路的电导的最大值要高,
在所述第一可变电导电路的输出电流比所述第二可变电导电路的输出电流足够小时,所述控制电路使包括所述第一可变电导电路的第一可变电流源的输出电流急剧下降。
2.如权利要求1所述的可变增益放大器,其特征在于,
在所述第二可变电导电路的输出电流比所述第一可变电导电路的输出电流要小时,所述控制电路使包括所述第二可变电导电路的第二可变电流源的输出电流急剧上升。
3.如权利要求1或2所述的可变增益放大器,其特征在于,
设有信号输入端子、电源端子、以及电压信号输出端子,
所述第一可变电导电路还包括:第一可变电流源,该第一可变电流源根据从所述控制电路输出的控制电压来改变所输出的电压的值;第一电导电路,该第一电导电路根据所述第一可变电流源的输出电流来确定偏置电流;以及第一分配电路,该第一分配电路进行分配以使所述第一可变电导电路的输出电流经由第一负载及第二负载进行流动,或者使所述第一可变电导电路的输出电流不经由所述第一负载及所述第二负载进行流动,
所述第二可变电导电路还包括:第二可变电流源,该第二可变电流源根据从所述控制电路输出的控制电压来改变所输出的电流的值;第二电导电路,该第二电导电路根据所述第二可变电流源的输出电流来确定偏置电流;以及第二分配电路,该第二分配电路进行分配以使所述第二可变电导电路的输出电流经由所述第一负载及所述第二负载进行流动,或者使所述第二可变电导电路的输出电流不经由所述第一负载及所述第二负载进行流动,
所述信号输入端子由一信号输入端子和另一信号输入端子所构成,所述电压信号输出端子由一电压信号输出端子和另一电压信号输出端子所构成,
所述第一电导电路具有第一FET及第二FET,第二电导电路具有第七FET及第八FET,
所述第一分配电路具有第三FET~第六FET,所述第二分配电路具有第九FET~第十二FET,
所述一信号输入端子与所述第一FET的栅极和所述第二FET的栅极相连接,所述另一信号输入端子与所述第七FET的栅极和所述第八FET的栅极相连接,
所述第一FET的源极和所述第二FET的源极与所述第一可变电流源的输入相连接,所述第七FET的源极和所述第八FET的源极与所述第二可变电流源的输入相连接,
所述第一FET的漏极与所述第三FET的源极和所述第四FET的源极相连接,所述第二FET的漏极与所述第五FET的源极和所述第六FET的源极相连接,所述第七FET的漏极与所述第九FET的源极和所述第十FET的源极相连接,所述第八FET的漏极与所述第十一FET的源极和所述第十二FET的源极相连接,所述第三FET的漏极与所述第九FET的漏极、所述一电压信号输出端子、及第一负载的一端相连接,所述第六FET的漏极与所述第十二FET的漏极、所述另一电压信号输出端子、及第二负载的一端相连接,所述第四FET的漏极、所述第五FET的漏极、所述第十FET的漏极、所述第十一FET的漏极、所述第一负载的另一端、以及所述第二负载的另一端经由所述电源端子与直流电压源的输出相连接,
所述控制电路的第一输出与所述第一可变电流源的控制输入相连接,所述控制电路的第二输出与所述第二可变电流源的控制输入相连接,
所述控制电路的第三输出与所述第三FET的栅极和所述第六FET的栅极相连接,所述控制电路的第四输出与所述第四FET的栅极和所述第五FET的栅极相连接,
所述控制电路的第五输出与所述第九FET的栅极和所述第十二FET的栅极相连接,所述控制电路的第六输出与所述第十FET的栅极和所述第十一FET的栅极相连接,
所述第一可变电流源的输出、所述第二可变电流源的输出、以及所述直流电压源的输入进行电接地。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社,未经夏普株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180058027.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:MEMS可调陷波滤波器频率自动控制回路系统和方法
- 下一篇:车辆座椅及饰件