[发明专利]用于晶片湿法处理的密闭室

说明书

技术领域

本发明总体上涉及用于处理诸如半导体晶片等晶片状物件的表面的装置。

背景技术

半导体晶片经历各种表面处理工艺，比如蚀刻、清洁、抛光和材料沉积。为了适应这样的工艺，可相对于一或多个处理流体喷嘴由关联于可旋转载具的卡盘来支撑单个晶片，如例如美国专利No.4,903,717和No.5,513,668中所描述的。

随着装在半导体晶片上的设备的日益小型化，在含氧氛围（atmosphere）中处理这些晶片变得越来越成问题。例如，当晶片在对周围空气开放的站中经受湿法处理时，空气中的氧成分会在晶片的正面引起不希望的铜腐蚀。

因此，存在对这样的晶片处理站的需要：其中的气体氛围可被控制，且允许在加载于处理模块中的晶片上实施各种工艺。

在美国专利No.6,273,104中，图6和7描绘了小于罐口从而不能密封该罐的喷头。

在美国专利No.6,807,974和6,915,809中，气体注入部件30被描述为只在晶片的干燥过程中提供密封的室，而在晶片的湿法处理过程中，大得多的外围栏1是处理模块和相关驱动机构的唯一隔离件。此外，这些专利的气体注入部件30和液体注入部件4不能同时工作。

发明内容

本发明开发了一种改进的密闭室模块，优选地被设计来用于单晶片湿法处理。在该密闭室模块中，用于将媒质分配到晶片上的臂被安装在该室内，且可从待命位置移动到服务位置。该密闭室模块包括密封该室的可移动的上部盖子，且其优选地还适于将气体供应到该室中。

附图说明

在读过下面参考附图给出的关于本发明优选实施方式的详细描述之后，本发明的其它目的、特征和优点会变得更加明显，其中：

图1是根据本发明的密闭室模块的优选实施方式的立体图；

图2是类似于图1的视图，其中喷头盖子已被向上移动且从该模块移开，以便允许加载或卸载该模块；

图3是仰视图1的实施方式的立体图，示出了用于操作该模块的各种机构；

图4是图1的实施方式的另一立体图，在轴平面被切开，以便示出其内部部件；

图5是图1的实施方式的在跟图4的平面相同的平面上的轴向截面；

图6是图1的实施方式的在贯穿媒质供应臂中的一个的枢转装置的平面上的轴向截面；

图7是示出用于驱动和升高和降低该实施方式的旋转卡盘的机构的截面图；

图8是图1的实施方式的径向截面，示出了处于待命位置的媒质供应臂；

图9是媒质供应臂中的一个的枢转装置的局部立体图；

图10是图1的实施方式的径向截面，其中媒质供应臂中的一个已被枢转到其服务位置；以及

图11是图1的实施方式的立体图，其中上室盖被移除。

具体实施方式

参考图1，密闭室模块10被安装在底板15上，且由优选圆筒形的室壁30和环形的上室盖32（upper chamber cover）构成，上室盖32通过一些螺钉或者类似物被固定到室壁30。室模块10在其上端被喷头盖子10（shower head lid）封闭，喷头盖子20在其外周密封到环形上室盖30的内周。

盖子20被固定到盖臂22，盖臂22将盖子20从图1中所示的闭合位置移动到图2中所示的打开位置，且盖臂22进而被安置在盖支撑轴26上。气体进给管线24供应气体到喷头盖子20。

第一和第二驱动单元52、62针对下面将要描述的各自的媒质供应臂而提供，且通向用于媒质供应臂的枢转运动机构的各自的盖54、64。标记数字56表示用于第一媒质供应管线的导入端（lead-in）。

该实施方式的密闭室模块具有三个内部位准（level），每一个位准具有相关的排气装置，在图1中用标记数字82、84和86分别表示用于下、中和上位准的相关排气装置并用81、83和85表示针对这些排气装置的相关的下、中和上吸气装置。

现在参考图2，该密闭室模块在其打开位置被示出，这涉及相对于该室向上提升喷头盖子并使其围绕盖支撑轴26枢转，盖支撑轴26容纳空心轴18。

在该室内部，可见旋转卡盘70，在该实施方式中，卡盘70是双面型卡盘。还可见处于待命位置的第二媒质供应臂63，以及上、中和下位准34、35、36。

在图3中，喷头区域25被示出在喷头盖子20的底面（underside）上，该区域除包括多个气体开口之外还包括中心气体喷嘴23。