[发明专利]使用平坦金属网的太阳能电池互连方法有效
| 申请号: | 201180034760.9 | 申请日: | 2011-06-02 |
| 公开(公告)号: | CN103140942B | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
| 发明(设计)人: | 大卫·B·皮尔斯;布鲁斯·D·哈克特曼;利广·龚;托马斯·M·瓦勒里;丹尼斯·R·霍拉斯 | 申请(专利权)人: | 纳沃萨恩公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/048;H01L31/05;H01L31/0465 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 王茂华 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 使用 平坦 金属网 太阳能电池 互连 方法 | ||
1.一种用于使薄膜太阳能电池互连的方法,包括:
(a)将薄而平坦的金属网贴附至第一薄膜太阳能电池,以在所述第一薄膜太阳能电池上形成集电栅格;
(b)将带有所述贴附的薄而平坦的金属网的所述第一薄膜太阳能电池连接至具有平坦金属网的第二薄膜太阳能电池,以在所述第一薄膜太阳能电池与所述第二薄膜太阳能电池之间形成串联的电连接;
(c)将相继的薄膜太阳能电池连接至带有所述贴附的平坦金属网的所述第一薄膜太阳能电池和所述第二薄膜太阳能电池,以形成电集成的互连薄膜太阳能电池串;以及
(d)将所述互连薄膜太阳能电池串集成为太阳能电池模块。
2.根据权利要求1的方法,还包括在将所述薄而平坦的金属网贴附至所述第一薄膜太阳能电池之前,由薄而平坦的金属条形成所述薄而平坦的金属网。
3.根据权利要求2的方法,其中所述薄金属条的厚度介于约0.002与0.010英寸之间。
4.根据权利要求2的方法,其中所述薄而平坦的金属条包含铜。
5.根据权利要求2的方法,其中所述薄而平坦的金属条包括一个或多个涂层。
6.根据权利要求5的方法,其中所述一个或多个涂层包括镍。
7.根据权利要求5的方法,其中所述一个或多个涂层包括锡。
8.根据权利要求1的方法,其中所述薄而平坦的金属网包括互连区域。
9.根据权利要求1的方法,其中所述薄而平坦的金属网包括丝线状元件,所述丝线状元件以正方形、矩形或梯形配置联结起来。
10.根据权利要求9的方法,其中每个所述丝线状元件的宽度介于约0.002与0.006英寸之间。
11.根据权利要求1的方法,其中所述薄而平坦的金属网利用导电环氧树脂贴附至所述第一薄膜太阳能电池。
12.根据权利要求1的方法,其中所述薄而平坦的金属网利用低熔点焊料贴附至所述第一薄膜太阳能电池。
13.根据权利要求1的方法,其中所述薄而平坦的金属网与所述第一薄膜太阳能电池的组合宽度介于约1.5与6.0英寸之间。
14.根据权利要求1的方法,其中所述薄而平坦的金属网镀有镍。
15.根据权利要求1的方法,其中所述第一薄膜太阳能电池沉积在纤薄的柔性箔衬底上。
16.根据权利要求15的方法,其中所述纤薄的柔性箔衬底包括不锈钢。
17.一种用于形成太阳能电池模块的方法,包括:
使来自第一卷的薄而平坦的金属网与来自第二卷的薄膜太阳能电池相接触,
其中所述薄而平坦的金属网包括以圆形、三角形、正方形、矩形、梯形、五边形或六边形配置联结起来的丝线状元件。
18.根据权利要求17的方法,其中所述薄而平坦的金属网覆盖所述薄膜太阳能电池的绝大部分。
19.根据权利要求17的方法,还包括将具有所述薄而平坦的金属网的所述薄膜太阳能电池分成单个的薄膜太阳能电池。
20.根据权利要求19的方法,还包括串联地连接单个的薄膜太阳能电池,以形成太阳能电池模块。
21.根据权利要求17的方法,还包括借助于导电环氧树脂或低熔点焊料将所述薄而平坦的金属网贴附至所述薄膜太阳能电池。
22.根据权利要求17的方法,其中使来自所述第一卷的所述薄而平坦的金属网与来自所述第二卷的所述薄膜太阳能电池相接触,该接触包括使所述薄而平坦的金属网和所述薄膜太阳能电池经过所述第一卷和所述第二卷下游的一组滚筒。
23.一种用以与太阳能电池一起使用的集电栅格,包括:
薄而平坦的金属网,用于接触太阳能电池的导电表面,所述薄而平坦的金属网包括丝线状元件,所述丝线状元件以圆形、三角形、正方形、矩形、梯形、五边形或六边形配置联结起来;以及
接头区域,其与所述薄而平坦的金属网相邻,所述接头区域用于形成与相邻的太阳能电池的电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





