[发明专利]等离子体电解氧化涂层中的铜或痕量金属污染物的减少

权利要求书

1.一种用于在半导体加工系统中在物体的表面上形成氧化物层的方法，所述物体包含铝、铜和镁，该方法包括：

提供所述物体，所述物体包括本体材料，所述本体材料具有以下特征：

本体铜浓度为约0-0.1重量％；并且

本体镁浓度为大于约1.5重量％，

以及使用等离子体电解氧化法将所述物体的表面氧化，以形成包含氧化铝和氧化镁的氧化物层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述方法还包括在所述物体的表面上沉积一层第二材料，所述第二材料具有第二铜浓度，该第二铜浓度小于所述本体铜浓度；并且

所述使用等离子体电解氧化法对所述物体的表面进行氧化的步骤包括对所述第二材料层的至少一部分厚度进行氧化。

3.如权利要求2所述的方法，还包括在形成所述氧化物层之前提高所述第二材料层的镁浓度。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二材料层的镁浓度通过镁的烧蚀转移来提高。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述使用等离子体电解氧化法对所述物体的表面进行氧化的步骤包括对所述第二材料层的至少一部分进行氧化。

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述使用等离子体电解氧化法对所述物体的表面进行氧化的步骤包括氧化通过并超出所述第二材料层的厚度进入所述物体的下方本体材料。

7.如权利要求2所述的方法，还包括在沉积所述第二材料层之前对所述物体的表面进行清洁。

8.如权利要求1所述的方法，该方法还包括：

在使用等离子体电解氧化法对所述物体的表面进行氧化后，从所述物体的表面除去材料至第一深度；

在从所述物体的表面除去所述材料至所述第一深度后，所述氧化层的最大铜浓度为等于或小于约5000ppm；并且

在所述第一深度处镁浓度为至少约4000ppm。

9.如权利要求1所述的方法，还包括从所述物体的经氧化的表面提取铜。

10.一种用于在半导体加工系统中在物体的表面上形成保护层的方法，所述物体包含铝、镁和铜，该方法包括：

提供所述物体，所述物体包括：

具有本体铜浓度的本体材料；以及

使用等离子体电解氧化法制备的氧化物层，所述氧化物层具有以下特征：

随所述氧化物层的深度变化而变化的铜浓度，且最大铜浓度为等于或小于约5000ppm；以及

随所述氧化物层的深度变化而变化的镁浓度，且最小镁浓度为大于约4000ppm；以及

使所述氧化物层的表面接触含有卤素的受激发的气体或含卤素的等离子体，以在所述氧化物层中形成卤化镁，从而形成所述保护层。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述本体铜浓度为大于约0.1重量％。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述本体镁浓度为小于约1重量％。

13.一种在物体的表面上形成氧化物层的方法，所述物体包含铝、铜和镁，该方法包括：

提供所述物体，所述物体包括具有以重量计的本体铜浓度的本体材料；

在所述物体的表面上沉积一层第二材料，所述第二材料具有第二铜浓度，该第二铜浓度小于所述本体铜浓度；以及

使用等离子体电解氧化法对所述沉积层的至少外部厚度进行氧化。

14.如权利要求13所述的方法，还包括提高所述第二材料层的镁浓度。

15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第二材料包括的镁浓度大于所述本体镁浓度。

16.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述使用等离子体电解氧化法对所述第二材料层的至少外部厚度进行氧化的步骤包括至少氧化通过所沉积层的整个厚度。