[发明专利]辐射热计及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201180025093.8 申请日: 2011-05-11
公开(公告)号: CN102918369A 公开(公告)日: 2013-02-06
发明(设计)人: 成田薰 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: G01J1/02 分类号: G01J1/02;H01C7/02;H01L37/00
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 李晓冬
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 辐射热 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种辐射热计,包括:

衬底;

在所述衬底上形成的绝热层;

在所述绝热层上形成的热敏电阻器;以及

在所述热敏电阻器与所述衬底之间形成的光反射膜。

2.根据权利要求1所述的辐射热计,

其中所述绝热层由派瑞林制成。

3.根据权利要求1或2所述的辐射热计,

其中所述热敏电阻器与所述光反射膜之间的中间层膜由派瑞林制成。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的辐射热计,

其中所述衬底由树脂制成。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的辐射热计,还包括:

在所述热敏电阻器附近形成且与所述热敏电阻器热耦合的光吸收层。

6.根据权利要求5所述的辐射热计,

其中所述光吸收层包含碳纳米管。

7.根据权利要求5所述的辐射热计,

其中所述光吸收层由有机材料制成。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的辐射热计,

其中所述热敏电阻器包含碳纳米管。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的辐射热计,

其中所述热敏电阻器包含硅和锗。

10.一种制造辐射热计的方法,该方法包括:

在衬底上形成光反射膜;

在所述衬底和所述光反射膜上形成绝热层;以及

在所述绝热层上形成热敏电阻器。

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