[发明专利]辐射热计及其制造方法无效
| 申请号: | 201180025093.8 | 申请日: | 2011-05-11 |
| 公开(公告)号: | CN102918369A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
| 发明(设计)人: | 成田薰 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
| 主分类号: | G01J1/02 | 分类号: | G01J1/02;H01C7/02;H01L37/00 |
| 代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 李晓冬 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 辐射热 及其 制造 方法 | ||
1.一种辐射热计,包括:
衬底;
在所述衬底上形成的绝热层;
在所述绝热层上形成的热敏电阻器;以及
在所述热敏电阻器与所述衬底之间形成的光反射膜。
2.根据权利要求1所述的辐射热计,
其中所述绝热层由派瑞林制成。
3.根据权利要求1或2所述的辐射热计,
其中所述热敏电阻器与所述光反射膜之间的中间层膜由派瑞林制成。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的辐射热计,
其中所述衬底由树脂制成。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的辐射热计,还包括:
在所述热敏电阻器附近形成且与所述热敏电阻器热耦合的光吸收层。
6.根据权利要求5所述的辐射热计,
其中所述光吸收层包含碳纳米管。
7.根据权利要求5所述的辐射热计,
其中所述光吸收层由有机材料制成。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的辐射热计,
其中所述热敏电阻器包含碳纳米管。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的辐射热计,
其中所述热敏电阻器包含硅和锗。
10.一种制造辐射热计的方法,该方法包括:
在衬底上形成光反射膜;
在所述衬底和所述光反射膜上形成绝热层;以及
在所述绝热层上形成热敏电阻器。
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