[发明专利]溅射靶材无效

专利信息
申请号: 201180019473.0 申请日: 2011-02-16
公开(公告)号: CN102844460A 公开(公告)日: 2012-12-26
发明(设计)人: E.Y.伊瓦诺夫;A.莱波维克;J.里泽 申请(专利权)人: 东曹SMD有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王冉
地址: 美国俄*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 溅射
【权利要求书】:

1.一种溅射靶材,其包括:

支承板和安装在该支承板上的溅射板,所述的支承板包括具有前表面和后表面的板,所述的溅射板包括溅射表面和后表面。

2.根据权利要求1所述的溅射靶材,其中,所述的溅射板具有平面形状。

3.根据权利要求1所述的溅射靶材,其中,所述溅射板的后表面包括凹槽,相对于所述溅射板的邻近区域,所述凹槽成形且大小对应于所述溅射板的更高溅射的被观察区。

4.根据权利要求3所述的溅射靶材,其中,所述的支承板包括第一材料,所述的溅射板包括第二材料,插入块包括第三材料;所述的第一、第二、第三材料是互不相同的,其中,所述插入块定位于所述的凹槽里。

5.根据权利要求1所述的溅射靶材,其中,所述支承板的前表面包括凹槽,相对于所述溅射板的邻近区域,所述凹槽成形且大小对应于所述溅射板的更高溅射的被观察区。

6.根据权利要求5所述的溅射靶材,其中,所述的支承板包括第一材料,所述的溅射板包括第二材料,插入块包括第三材料;所述的第一、第二、第三材料是互不相同的,其中,所述插入块定位于所述的凹槽里。

7.根据权利要求1所述的溅射靶材,其中,所述支承板的后表面包括凹槽,相对于所述溅射板的邻近区域,所述凹槽成形且大小对应于所述溅射板的更高溅射的被观察区。

8.根据权利要求7所述的溅射靶材,其中,所述的支承板包括第一材料,所述的溅射板包括第二材料,插入块包括第三材料;所述的第一、第二、第三材料是互不相同的,其中,所述插入块定位于所述的凹槽里。

9.根据权利要求1所述的溅射靶材,其中,所述溅射板的后表面、所述支承板的前表面或所述支承板的后表面中的至少一个包括凹槽,相对于所述溅射板的邻近区域,所述凹槽成形且大小对应于所述溅射板的更高溅射的被观察区。

10.根据权利要求9所述的溅射靶材,其中,所述的支承板包括第一材料,所述的溅射板包括第二材料,插入块包括第三材料;所述的第一、第二、第三材料是互不相同的,其中,所述插入块定位于所述的凹槽里。

11.根据权利要求10所述的溅射靶材,其中,所述的第一材料至少包括下列材料之一:铜、铜合金、不锈钢、铝、铝合金、铜/铬、铝/铜或它们的其它合金;

所述的第二材料至少包括下列材料之一:铝、铝合金、钼、钼合金、铜、铜合金、钨、钛、钽、任意其它的非磁性材料或合金、或者任意其它的非金属材料或合金;

所述的第三材料包括Ni、不锈钢、变压器钢或磁导率大于20的铁磁材料;

其中,所述插入块的形状为矩形或具有矩形横截面的环形。

12.根据权利要求11所述的溅射靶材,其中,所述的非磁性材料和非金属材料或合金选自由碳、碳化物、硅、硅化物、锗、锗合金、导电氧化物和导电氧化物组分构成的组。

13.根据权利要求11所述的溅射靶材,其中,所述的第一材料包括CuCr合金,而所述的第二材料包括铝或钼。

14.根据权利要求11所述的溅射靶材,此外还包括安装在所述支承板后表面上的插入块。

15.根据权利要求11所述的溅射靶材,此外还包括位于所述溅射板后表面和所述支承板前表面之间的插入块。

16.根据权利要求15所述的溅射靶材,此外还包括位于所述溅射板后表面和所述支承板前表面之间的垫片。

17.一种控制溅射靶材电磁特性的方法,该溅射靶材包括安装在支承板上的溅射板,此方法包括:

提供包括第一材料的支承板;

在所述溅射板的后表面、所述支承板的前表面或所述支承板的后表面中的一个或多个上形成至少一个凹槽;和

用具有与所述第一材料不同电磁特性的第二材料填充所述的至少一个凹槽。

18.根据权利要求17所述的方法,其中,所述的第一材料至少包括下列材料之一:铝、铜、不锈钢、铜/铬、铝/铜或它们的其它合金;

所述的第二材料包括磁性材料,所述的磁性材料包括Ni、不锈钢、变压器钢或磁导率大于20的铁磁材料;

其中,所述插入块的形状为矩形或具有矩形横截面的环形。

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