[发明专利]使用三角形形状裁适的镭射脉冲于所选定靶材类型的镭射系统和方法无效
| 申请号: | 201180017445.5 | 申请日: | 2011-03-29 |
| 公开(公告)号: | CN103081067A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
| 发明(设计)人: | 奉H.曹;布莱恩·L·普;安德鲁·虎柏 | 申请(专利权)人: | 伊雷克托科学工业股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;H01L21/78 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;安利霞 |
| 地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 使用 三角形 形状 镭射 脉冲 选定 类型 系统 方法 | ||
1.一种用于藉由镭射以对工件进行处理的方法,该方法包含:
储存对应于多个时间性脉冲廓型的资料,各个时间性脉冲廓型为关联于该工件之上或之内的个别靶材类型结构,其中所述多个时间性脉冲廓型之一者含有三角形形状,此形状为在第一时间处按第一固定速率自初始功率值提高而在第二时间处至尖峰功率值,并且在该第二时间处按第二固定速率自该尖峰功率值减少而在第三时间处返回至该初始功率值;
选定位于该工件之上或之内的结构以供处理,该选定结构关联于含有该三角形形状的时间性脉冲廓型;
根据该选定结构,自所述多个时间性脉冲廓型中选定含有该三角形形状的时间性脉冲廓型;
产生含有该选定时间性脉冲廓型的镭射脉冲;以及
将所产生的镭射脉冲导引至该工件以藉由该所产生镭射脉冲来处理该选定结构。
2.如申请专利范围第1项所述的方法,进一步包含:
将含有该三角形形状的时间性脉冲廓型关联于含有未经钝化导电性链接结构的靶材类型,其中该选定结构是位在该相关联靶材类型之内。
3.如申请专利范围第2项所述的方法,其中将所产生镭射脉冲导引至该工件以处理该选定结构包含藉由含有该三角形时间性脉冲廓型的所产生镭射脉冲以切断未经钝化导电性链接结构,该方法进一步包含:
选定该第一固定速率,藉以在该第一时间与该第二时间之间的周期过程里控制加热该导电性链接结构的速率;以及
选定该第二固定速率,藉以在该第二时间与该第三时间之间的周期过程里控制冷却该导电性链接结构的速率。
4.如申请专利范围第1项所述的方法,进一步包含:
将含有该三角形形状的时间性脉冲廓型关联于含有经构成于基板上的裸露金属的靶材类型。
5.如申请专利范围第4项所述的方法,其中将所产生的镭射脉冲导引至该工件以处理该选定结构包含刻划该裸露金属的局部。
6.如申请专利范围第1项所述的方法,进一步包含:
根据该相关联靶材类型结构的特征选定该第一固定速率以与该第二固定速率大约相同。
7.如申请专利范围第1项所述的方法,进一步包含根据该相关联靶材类型结构的特征选定该第一固定速率以显著大于该第二固定速率。
8.如申请专利范围第1项所述的方法,进一步包含:
根据该相关联靶材类型结构的特征选定该第一固定速率以显著小于该第二固定速率。
9.如申请专利范围第1项所述的方法,进一步包含:
根据该相关联靶材类型结构的特征选定该第二时间及该第三时间的至少一者。
10.一种用以处理工件的镭射处理系统,该系统包含:
一记忆体装置,此者储存对应于多个时间性脉冲廓型的资料,各个时间性脉冲廓型为关联于该工件之上或之内的个别靶材类型结构,其中所述多个时间性脉冲廓型之一者含有三角形形状,此形状为在第一时间处按第一固定速率自初始功率值提高而在第二时间处至尖峰功率值,并且在该第二时间处按第二固定速率自该尖峰功率值减少而在第三时间处返回至该初始功率值;
控制器,此者经组态设定以:
选定位于该工件之上或之内的结构以供处理,该选定结构关联于含有该三角形形状的时间性脉冲廓型;以及
根据该选定结构,自所述多个时间性脉冲廓型中选定含有该三角形形状的时间性脉冲廓型;
镭射来源,此者用以产生含有该选定时间性脉冲廓型的镭射脉冲;以及
光学元件,此者用以将所产生的镭射脉冲导引至该工件以藉由该所产生镭射脉冲来处理该选定结构。
11.如申请专利范围第10项所述的系统,其中该记忆体装置储存资料,而该资料将含有该三角形形状的时间性脉冲廓型关联于含有未经钝化导电性链接结构的靶材类型,其中该选定结构是位在该相关联靶材类型之内。
12.如申请专利范围第13项所述的系统,其中将所产生镭射脉冲导引至该工件以处理该选定结构包含藉由含有该三角形时间性脉冲廓型的所产生镭射脉冲以切断该未经钝化导电性链接结构,该处理器经进一步组态设定以:
选定该第一固定速率,藉以在该第一时间与该第二时间之间的周期过程里控制加热该导电性链接的速率;以及
选定该第二固定速率,藉以在该第二时间与该第三时间之间的周期过程里控制冷却该导电性链接的速率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





