[发明专利]发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，其构成为具有半导体发光元件和荧光体层，该荧光体层具备发光光谱不同的A区域和B区域，该发光装置的特征在于，

该发光装置构成为：

（i）所述半导体发光元件发出具有350nm以上520nm以下的波长的光，

（ii）所述A区域包含两个以上的第1A荧光体部和两个以上的第2A荧光体部，并且所述B区域包含两个以上的第1B荧光体部和两个以上的第2B荧光体部，

（iii）所述A区域中相邻的第1A荧光体部和第2A荧光体部在其边界面处沿着与荧光体层的厚度方向垂直的方向配置，所述B区域中相邻的第1B荧光体部和第2B荧光体部在其边界面处沿着与荧光体层的厚度方向垂直的方向配置，

（iv）所述第1A荧光体部含有第1A荧光体，该第1A荧光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比所述半导体发光元件发出的光更长的光的光，

（v）所述第2A荧光体部含有第2A荧光体，该第2A荧光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比所述第1A荧光体发出的光更长的光的光，

（vi）所述第1B荧光体部含有第1B荧光体，该第1B荧光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比所述半导体发光元件发出的光更长的光的光，

（vii）所述第2B荧光体部含有第2B荧光体，该第2B荧光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比所述第1B荧光体发出的光更长的光的光，

（viii）能够调整从所述半导体发光元件照射到所述A区域和B区域的光的比例。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，

该发光装置构成为：

通过使所述荧光体层或所述半导体发光元件以改变所述荧光体层与所述半导体发光元件的相对位置的方式进行移动，能够调整从半导体发光元件照射到所述A区域和B区域的光的比例。

3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，

关于所述荧光体层，在位于发光装置的光的射出侧的面中，在设所述A区域中的所述第1A荧光体部所占面积的总和为S_A1、所述A区域中的所述第2A荧光体部所占面积的总和为S_A2、所述B区域中的所述第1B荧光体部所占面积的总和为S_B1、所述B区域中的所述第2B荧光体部所占面积的总和为S_B2时，满足下式[1]的条件：

S_A2/S_A1≠S_B2/S_B1 ···[1]。

4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的发光装置，其特征在于，

关于所述荧光体层，在设所述A区域中的所述第1A荧光体部的厚度的总和为T_A1、所述A区域中的所述第2A荧光体部的厚度的总和为T_A2、所述B区域中的所述第1B荧光体部的厚度的总和为T_B1、所述B区域中的所述第2B荧光体部的厚度的总和为T_B2时，满足下式[2]的条件：

T_A2/T_A1≠T_B2/T_B1 ···[2]。

5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的发光装置，其特征在于，

在所述荧光体层中，第1A荧光体与第1B荧光体的种类不同，并且/或者，第2A荧光体与第2B荧光体的种类不同。

6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的发光装置，其特征在于，

关于所述荧光体层，在荧光体层的厚度方向上存在多种荧光体的部分的面积相对于发光装置的光射出面积的比例为0%以上20%以下。

7.根据权利要求1～6中的任意一项所述的发光装置，其特征在于，

所述荧光体层具有遮光部，所述遮光部以防止从第1A荧光体部发出的光入射到第2A荧光体部的方式配置在所述第1A荧光体部与第2A荧光体部之间，并且/或者，所述遮光部以防止从第1B荧光体部发出的光入射到第2B荧光体部的方式配置在所述第1B荧光体部与第2B荧光体部之间。