[发明专利]用于接近和触碰检测的电极装置、电路布置和方法有效

专利信息
申请号: 201180012560.3 申请日: 2011-03-24
公开(公告)号: CN102906678B 公开(公告)日: 2017-04-12
发明(设计)人: 克劳斯·卡尔特纳;赖因哈德·翁特赖特迈尔;霍尔格·斯特芬斯 申请(专利权)人: 微晶片科技德国公司
主分类号: G06F3/044 分类号: G06F3/044
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 代理人: 沈锦华
地址: 德国伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 接近 检测 电极 装置 电路 布置 方法
【权利要求书】:

1.一种用于电容式传感器装置的电极装置,其包括

第一电极结构(ES1),其具有至少一个发射电极(SE)和至少一个接收电极(EE),以及

第二电极结构,其具有至少一个场感测电极(FE),

其中

在第一操作模式(BM1)中,可对所述至少一个发射电极(SE)供应第一交变电信号(WS1),且第一电信号(S1)可从所述至少一个接收电极(EE)分接,且,

在第二操作模式(BM2)中,可对所述第一电极结构(ES1)的至少一个电极(EE、SE)供应交变电信号,且第二电信号(S2)可从所述至少一个场感测电极(FE)分接。

2.根据权利要求1所述的电极装置,其中

在所述第一操作模式中,在所述发射电极(SE)处发射的第一交变电场(WS)可耦合到所述接收电极(EE)和所述场感测电极(FE),且

在所述第二操作模式中,在所述发射电极(SE)处发射的第一交变电场(WS)和在所述接收电极(EE)处发射的第二交变电场(WE)可耦合到所述场感测电极(FE)。

3.根据前述权利要求中任一权利要求所述的电极装置,其中

在所述第一操作模式中,从所述接收电极(EE)分接的所述第一电信号(S1),以及在所述第二操作模式中,从所述场感测电极(FE)分接的所述第二电信号(S2)指示物件对所述传感器装置的接近。

4.根据前述权利要求中任一权利要求所述的电极装置,其中所述第一电极结构和所述第二电极结构可与评估装置(A)耦合,借此第一阈值可指派给所述第一操作模式,且借此所述评估装置(A)经配置以从所述第一操作模式改变为所述第二操作模式。

5.根据权利要求4所述的电极装置,其中所述评估装置(A)经配置以只要所述第一电信号(S1)超过所述第一阈值或降落到所述第一阈值以下就从所述第一操作模式改变为所述第二操作模式。

6.根据权利要求4或5所述的电极装置,其中第二阈值可指派给所述第二操作模式,且其中所述评估装置(A)经配置以根据所述第一阈值选择所述第二阈值。

7.根据权利要求4或5所述的电极装置,其中所述第二阈值可指派给所述第二操作模式,且其中所述评估装置(A)经配置以根据所述第一电信号(S1)选择所述第二阈值。

8.根据权利要求6或7所述的电极装置,其中所述评估装置(A)经配置以

只要所述第一电信号(S1)超过所述第一阈值或降落到所述第一阈值以下就提供第一检测信号(DS1),且

只要所述第二电信号(S2)超过所述第二阈值或降落到所述第二阈值以下就提供第二检测信号(DS2)。

9.根据前述权利要求中任一权利要求所述的电极装置,其中所述第一电极结构另外包括至少一个补偿电极(KE)。

10.根据权利要求9所述的电极装置,其中

在所述第一操作模式(BM1)中,可对所述至少一个补偿电极(KE)供应第二交变电信号(WS2),且

在所述第二操作模式(BM2)中,可对所述第一电极结构(ES1)的至少一个电极(EE、SE、KE)供应所述交变电信号。

11.根据权利要求9到10中任一权利要求所述的电极装置,其中

在所述第一操作模式中,在所述发射电极(SE)处发射的第一交变电场(WS)可耦合到所述接收电极(EE),且

在所述第二操作模式中,在所述发射电极(SE)处发射的第一交变电场(WS)和/或在所述接收电极(EE)处发射的第二交变电场(WE)和/或在所述补偿电极(KE)处发射的第三交变电场(WK)可耦合到所述至少一个场感测电极(FE)。

12.根据权利要求9到11中任一权利要求所述的电极装置,其中所述第二交变电信号(WS2)是以一方式选择,使得在所述第一操作模式(BM1)中,在所述补偿电极(KE)处发射的所述交变电场(WK)可实质上仅耦合到所述接收电极(EE)。

13.根据权利要求9到11中任一权利要求所述的电极装置,其中所述补偿电极(KE)、所述接收电极(EE)和所述场感测电极(FE)相对于彼此以一方式布置,使得在所述补偿电极(KE)处发射的所述交变电场(WK)可实质上仅耦合到所述接收电极(EE)。

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