[发明专利]包括掺杂的CNT和纳米线复合材料的大面积透明导电涂层及其制备方法

权利要求书

1.一种制备包括支撑含CNT的薄膜的衬底的涂覆物的方法，该方法包括：

提供一种含CNT的墨水；

通过向所述墨水添加表面活性剂来调整所述含CNT的墨水的流变性能，以使任何位于所述墨水内的半导体CNT不会结块；

将具有调整后的流变特性的所述墨水施用到所述衬底上以形成一种中间涂层；

在所述中间涂层上提供一种材料以改善对于所述衬底的附着性；

用一种盐和/或超强酸掺杂所述中间涂层，以便在形成所述含有CNT的薄膜时化学功能化所述中间涂层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含CNT的墨水在最初被提供时，本质上由双壁纳米管构成。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括使用一个狭缝模具装置将具有所述调整后的流变特性的所述墨水施用在所述衬底上。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括干燥所述中间涂层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，提供在所述中间涂层上的所述材料包括PVP。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述掺杂与所述PVP被提供大致同时进行。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述超强酸是H₂SO₄。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述盐是一种重氮盐。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述盐是BDF或OA。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述中间涂层上的所述材料包括PEDOT:PSS。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述中间涂层上的所述材料是一种PEDPT:PSS-PEG复合材料。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述中间涂层上的所述材料是一种包括氧化锆或硅的薄膜材料。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述中间涂层上的所述材料是一种包括氧化锆或硅的薄膜涂层。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述中间涂层上的所述材料是一种聚合物或树脂。

15.根据权利要求1所述的方法，还包括使用在所述中间涂层上的所述材料来大体上平坦化所述含CNT的薄膜。

16.根据权利要求1所述的方法，还包括通过在其上设置一层导电涂层来大体上平坦化所述含CNT的薄膜。

17.根据权利要求1所述的方法，还包括通过在其上设置一层薄且部分绝缘的涂层来大体上平坦化所述含CNT的薄膜。

18.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含CNT的薄膜被p型掺杂。

19.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含CNT的薄膜被n型掺杂。

20.根据权利要求1所述的方法，还包括靠近所述衬底释放氧气或臭氧，以通过氧化其中的碳而功能化所述中间涂层和/或所述含CNT的薄膜。

21.一种制备包括支撑含CNT的薄膜的衬底的涂覆物的方法，该方法包括：

提供一种含CNT的墨水，所述含CNT的墨水包括双壁纳米管；

调整所述含CNT的墨水的流变性能，使得所述含CNT的墨水更加亲水；

使用一个狭缝模具装置在所述衬底上施用具有所述调整后的流变性能的所述墨水而形成中间涂层；

干燥所述中间涂层或允许所述中间涂层变干；

在所述中间涂层上提供一种外覆层以改善其对于所述衬底的附着性；

用一种盐和/或超强酸掺杂所述中间涂层从而使得在形成所述含CNT的薄膜时化学功能化所述中间涂层；

大体上平坦化所述含CNT的薄膜。

22.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述外覆层包括PVP。

23.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述外覆层包括PEDOT:PSS。