[发明专利]处理含有六氯乙硅烷的蒸气的方法

说明书

六氯乙硅烷在硅芯片制造中日益广泛地被使用。其经常被使用CVD的气相法工艺沉积下来。但是，这导致需要处理离开沉积室后的蒸气。

US 2009/0104100A1描述了含有六氯乙硅烷的废气的处理方法。该方法包括首先在复杂的装置中在排除湿气的条件下氧化所述废气，然后使其通过充满了水的洗涤器。

六氯乙硅烷与水或湿气的反应通常会释放出HCl气体。该气体会攻击Si-Si键。这将产生包含Si-H-的水解产物，其在机械接触时分解，例如由于摩擦导致的机械接触，并产生火花。固体形式的水解产物甚至可以在水下有火花地(with sparking)分解。

本发明的一个目的是改进现有技术，更具体地，是提供一种无风险地处理六氯乙硅烷残余物的方法。

在这方面，需要寻找一种可以无风险地处理蒸气或者液体六氯乙硅烷的方法。已经发现，将六氯乙硅烷引入脲和醇的混合物中时，没有可燃性混合物的形成。

已经吃惊地发现，脲一方面具有足够的碱性以限制HCl释放，而另一方面，它并不催化产生任何六氯乙硅烷的任何重排。

本发明提供一种处理含有六氯乙硅烷的蒸气的方法，其特征在于，将含有六氯乙硅烷的蒸气引入混合物中，该混合物包括在900-1100hPa和25℃为液体的非极性烃，脲，及在900-1100hPa和25℃为液体的醇。

使用的溶剂可为以下非极性烃：

优选非极性烃，例如脂肪族或芳香族烃，优选溶剂是基于在标准压力(900-110hPa)下沸点优选低于100℃的烃，优选的烃具有1-20个碳原子，优选具有6-12个碳原子，更优选辛烷、壬烷、癸烷、苯、甲苯、二甲苯，特别优选二甲苯。

使用的醇可为以下的：优选在900-1100hPa和25℃下为液体的醇，优选沸点为50°-150℃，优选90°-110℃，更优选100°-120℃，所述沸点均对应在900-1100hPa的压力下，优选具有1-6个碳原子、优选具有3-5个碳原子的醇，单官能团醇，二或多官能团醇，更优选戊醇，例如1-戊醇、2-戊醇、3-戊醇，以及1-丁醇、2-丁醇、3-丁醇、1-丙醇、2-丙醇，特别优选3-丁醇。

使用高沸点的醇来处理废气时，基于1摩尔的醇使用：

-0.1-0.5摩尔的脲，更优选0.2-0.4摩尔的脲，

-10-200毫升的溶剂，更优选50-100毫升的溶剂。

实施例

含有六氯乙硅烷的废气的处理

使来自在氮气下蒸馏六氯乙硅烷的装置的废气通过50ml二甲苯、50ml叔丁醇和10g脲的混合物。用磁搅拌器搅拌混合物。与废气仅通过硅油的装置相反，在气体出口处没有形成与金属接触时开始燃烧的白色沉淀物。

在本发明的上下文中，除非在各个情况下另外说明，否则所有的数量和百分数基于重量，并且所有的百分数都基于总重量，所有的温度是室温25℃，所有的压力是环境压力，即900-1100hPa。所有的粘度都在25℃下测定。