[发明专利]铜／钛系多层薄膜用蚀刻液有效
| 申请号： | 201180007492.1 | 申请日： | 2011-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN102834547A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 安谷屋智幸;冈部哲;后藤敏之;丸山岳人;小林和树;田中惠一;中村涉;纪藤贤一;田中哲宪 | 申请（专利权）人： | 三菱瓦斯化学株式会社;夏普株式会社 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;C23F1/26;H01L21/308;H01L21/3205;H01L21/3213;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 薄膜 蚀刻 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液，其含有：(A)过氧化氢、(B)硝酸、(C)氟离子供给源、(D)唑类、(E)季铵氢氧化物及(F)过氧化氢稳定剂，且pH为1.5~2.5。
2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其中，(C)氟离子供给源为氟化铵和/或酸式氟化铵。
3.根据权利要求1或2所述的蚀刻液，其中，(D)唑类为5-氨基-1H-四唑。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的蚀刻液，其中，(E)季铵氢氧化物为四烷基氢氧化铵和/或(羟基烷基)三烷基氢氧化铵。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的蚀刻液，其中，(F)过氧化氢稳定剂为苯基脲和/或苯酚磺酸。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的蚀刻液，其含有(A)过氧化氢4.5~7.5质量%、(B)硝酸3~6质量%、(C)氟离子供给源0.1~0.5质量%、(D)唑类0.1~0.5质量%、(E)季铵氢氧化物3~6质量%、(F)过氧化氢稳定剂0.01~0.1质量%。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的蚀刻液，其中，多层薄膜是在钛层上叠层铜层而成的。
8.一种包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻方法，其特征在于，使蚀刻对象物与权利要求1~6中任一项所述的蚀刻液接触。
9.根据权利要求8所述的蚀刻方法，其中，多层薄膜是在钛层上叠层铜层而成的。
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