[实用新型]一种用于先洗磷后刻蚀清洗机湿刻蚀槽的抽风装置有效
申请号: | 201120495384.0 | 申请日: | 2011-12-02 |
公开(公告)号: | CN202395009U | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 张啸潮 | 申请(专利权)人: | 百力达太阳能股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 翁若莹;柏子雵 |
地址: | 314512 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 先洗磷后 刻蚀 清洗 抽风 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种先洗磷后刻蚀清洗机湿刻蚀槽的抽风系统,属于太阳能电池生产制作技术领域。
背景技术
洗磷和刻蚀是太阳能电池制备的一个重要环节。在扩散工序制作PN结时,硅片表面形成了一层磷硅玻璃杂质,同时硅片边缘也形成了PN结。为了去除杂质和防止太阳能电池边缘漏电,扩散后要将硅片洗磷和刻蚀。多晶太阳能电池制备过程中一般使用湿刻蚀,用氢氟酸洗磷,用氢氟酸和硝酸的混酸溶液做为腐蚀剂将边缘N型半导体区域腐蚀。
湿刻蚀过程分为两种。第一种是先洗磷后刻蚀,第二种是先刻蚀再洗磷。两种方法各有优缺点。第一种先洗磷后刻蚀,由于先将磷硅玻璃洗去,在经过刻蚀槽时,表面N型区域直接和槽体中的强酸性气体接触,加上槽中湿度很大,造成N型硅被部分腐蚀,导致硅片经过刻蚀槽后方块电阻难以控制,方阻变化较大且片内均匀性变差,最终影响效率,导致效率波动大,低效增多。第二种先刻蚀再洗磷,由于磷硅玻璃亲水性很强,经过刻蚀槽时极容易造成过刻,造成低效,所以对设备要求相当高,同时对药液的浓度要求也相对较高。
对于第一种先洗磷后刻蚀的方法,只要将刻蚀槽内的腐蚀性气体及时排出,减少其对硅片表面的腐蚀就能有效得控制方阻的变化和均匀性。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种能够尽量减少湿刻蚀槽中的腐蚀性气体,稳定硅片经过刻蚀槽后的方阻变化量的装置。
为了达到上述目的,本实用新型的技术方案是提供了一种用于先洗磷后刻蚀清洗机湿刻蚀槽的抽风装置,其特征在于:包括抽风管,在抽风管上分布有抽风口,导流槽位于抽风管的下方,在抽风管与导流槽之间设有支撑架。
优选地,所述抽风管位于硅片上方,安装方向垂直于硅片的运行方向。
优选地,所述抽风口的开口方向平行于水平方向。
通过本实用新型提供的一种用于先洗磷后刻蚀清洗机湿刻蚀槽的抽风装置能够将刻蚀槽内的腐蚀性气体及时排出,减少其对硅片表面的腐蚀。
附图说明
图1为多晶湿刻蚀清洗机刻蚀槽中抽风管道分布图;
图2为单个抽风管道整体图;
图3为单个抽风管道横截面图。
具体实施方式
为使本实用新型更明显易懂,兹以一优选实施例,并配合附图作详细说明如下。
如图2及图3所示,本实用新型提供了一种用于先洗磷后刻蚀清洗机湿刻蚀槽的抽风装置,包括抽风管4、抽风口5、导流槽6及支撑架7。在抽风管4上分布有抽风口5,导流槽6位于抽风管4的下方,在抽风管4与导流槽6之间设有支撑架7
为减小抽风形成的气流对液面产生扰动作用而影响刻蚀效果,抽风口5的直径要尽量小,避免开口过大气流对刻蚀槽液面产生干扰。抽风口5的开口方向平行于水平方向,使气流在水平方向运动,避免液面的上下波动。抽风口5的数量可根据开口孔径的大小按适当比例设计。
由于刻蚀槽中湿度很大,抽风管4上会凝聚大量水滴。为防止水滴从抽风管4滴落到硅片2表面上,抽风管4的下端设置了一条导流槽6,让从抽风管4滑落的液体经导流槽6后从槽体的两侧流入槽液中,从而减少对硅片2刻蚀带来的负面影响。
导流槽6可设计成弧形或V型,导流槽6倾斜度越大导流效果越好。导流槽6的上表面材质可用光滑的不吸水抗酸性材料,确保良好的导流效果。虽然导流槽6的表面积很小,但为防止导流槽6下边面有液滴落,下表面需要用海绵状吸水的抗酸性材质,能有效的将导流槽6下表面的液体靠重力作用引导到导流槽两端,沿着槽壁流下。
如图1所示,抽风装置3安装垂方向直于硅片2运行方向。每个刻蚀槽1的抽风装置3数量按槽体的实际长度设计安装,一般为6根或8根,具体用量可根据实际情况做调整。抽风装置3的安装高度至少在液面5cm以上,以免抽风对液面造成影响。但也不宜太高,避免不能及时将硅片表面附近的腐蚀性气体抽走,降低抽风效果。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于百力达太阳能股份有限公司,未经百力达太阳能股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120495384.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的