[实用新型]逆向电压保护装置

说明书

技术领域

本实用新型关于一种电压保护装置，尤其是用于电性连接在一直流电源及一风扇电路之间，以防止逆向电压由该直流电源进入并破坏该风扇电路的一种逆向电压保护装置。

背景技术

请参照图1所示，其为一种现有的逆向电压保护装置的电路示意图。该逆向电压保护装置7供串联连接于一直流电源8及一风扇电路9之间，且具有一输入端71连接于该直流电源8，并具有一输出端72连接于该风扇电路9；此外，该直流电源8具有一正电压端81及一负电压端82，该正电压端81连接该输入端71，而该负电压端82则接地。详言之，该逆向电压保护装置7由一二极管所构成，其中该二极管的阳极构成该逆向电压保护装置7的输入端71，而该二极管的阴极则构成该逆向电压保护装置7的输出端72。借助具有上述连接方式的逆向电压保护装置7，当该直流电源8的正电压端81所输出的电压使该输入端71的电压高于该输出端72的电压，且该输入端71与该输出端72之间的电压差大于该二极管的开启电压〔junction potential barrier〕时，该直流电源8所输出的电力即可通过该逆向电压保护装置7输入该风扇电路8；反之，若该直流电源8的正电压端81所输出的电压无法使该输入端71与该输出端72的电压差大于该二极管的开启电压，则该直流电源8的电力便会遭到该逆向电压保护装置7阻挡，无法传送至该风扇电路9。

然而，在正常运作的情况下，由于上述现有的逆向电压保护装置7由二极管所构成，而一般二极管〔例如萧特基二极管、快速二极管或飞轮二极管〕的开启电压约为0.5至0.6V，且欲导通该二极管的导通电压〔即该输入端71与该输出端72之间的电压差〕至少需高于该开启电压，因此导致该直流电源8需要提供较高的导通电压，才能以通过该逆向电压保护装置7正常驱动该风扇电路9。此外，由于存在该开启电压，该直流电源8的正电压端81每输出1A的电流通过该逆向电压保护装置7至该风扇电路9，便会在该逆向电压保护装置7额外消耗约0.5至0.6W的电功率，因而导致高回路耗损。

基于上述原因，有必要进一步改良上述现有逆向电压保护装置，以期能够具有低导通电压及低回路耗损的功效。

实用新型内容

本实用新型主要目的提供一种逆向电压保护装置，包含一PMOS或一NMOS，以便具有低导通电压、低回路耗损及低零件温升的功效。

本实用新型提供的一种逆向电压保护装置，其包含：一个输入端，连接一个直流电源；一个输出端，连接一个风扇电路；及，一个控制端，连接一个低准位电压；其中另具有一个p沟道金氧半场效晶体管，该p沟道金氧半场效晶体管的漏极连接该输入端，该p沟道金氧半场效晶体管的源极连接该输出端，且该p沟道金氧半场效晶体管的栅极连接该控制端。

前述低准位电压与该直流电源的电压差大于或等于一个低限电压值，该低限电压值为该p沟道金氧半场效晶体管的临界电压与该p沟道金氧半场效晶体管的寄生二极管的开启电压的总和。

根据本实用新型提供的另一种逆向电压保护装置，其包含：一个输入端，通过一个风扇电路连接至一个直流电源；一个输出端，连接一个接地点；及，一个控制端，连接一个高准位电压；其中另具有一个n沟道金氧半场效晶体管，该n沟道金氧半场效晶体管的源极连接该输入端，该n沟道金氧半场效晶体管的漏极连接该输出端，且该n沟道金氧半场效晶体管的栅极连接该控制端。

前述高准位电压与该接地点的电压差大于或等于一个低限电压值，该低限电压值为该n沟道金氧半场效晶体管的临界电压与该n沟道金氧半场效晶体管的寄生二极管的开启电压的总和。

本实用新型的有益效果在于：借助连接于该直流电源及该风扇电路之间的PMOS所构成的逆向电压保护装置，或连接于该风扇电路及该接地点之间的NMOS所构成的逆向电压保护装置，本实用新型的逆向电压保护装置可利用该PMOS或NMOS的寄生二极管在电压刚输入时判断该电压是否为正电压，且在该PMOS形成p载子沟道或NMOS形成n载子沟道之后，即以该沟道做为电流传输路径，故相较于以二极管构成的现有逆向电压保护装置可具有低导通电压、低回路耗损及低零件温升的特性。

附图说明

图1：现有逆向电压保护装置的电路示意图。

图2：本实用新型逆向电压保护装置的第一实施例的电路示意图。

图3：本实用新型逆向电压保护装置的第二实施例的电路示意图。

【主要组件符号说明】

〔本实用新型〕

1  逆向电压保护装置        11 输入端