[实用新型]逆向电压保护装置有效

专利信息
申请号: 201120386574.9 申请日: 2011-10-12
公开(公告)号: CN202260444U 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 王铭圣;章守坚;伍家进;徐春凤 申请(专利权)人: 昆山广兴电子有限公司
主分类号: H02H11/00 分类号: H02H11/00
代理公司: 北京汇智英财专利代理事务所 11301 代理人: 潘光兴
地址: 215301 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 逆向 电压 保护装置
【权利要求书】:

1.一种逆向电压保护装置,其特征在于,其包含:

一个输入端,连接一个直流电源;

一个输出端,连接一个风扇电路;及

一个控制端,连接一个低准位电压;

其中另具有一个p沟道金氧半场效晶体管,该p沟道金氧半场效晶体管的漏极连接该输入端,该p沟道金氧半场效晶体管的源极连接该输出端,且该p沟道金氧半场效晶体管的栅极连接该控制端。

2.如权利要求1所述的逆向电压保护装置,其特征在于,该低准位电压与该直流电源的电压差大于或等于一个低限电压值,该低限电压值为该p沟道金氧半场效晶体管的临界电压与该p沟道金氧半场效晶体管的寄生二极管的开启电压的总和。

3.一种逆向电压保护装置,其特征在于,其包含:

一个输入端,通过一个风扇电路连接至一个直流电源;

一个输出端,连接一个接地点;及

一个控制端,连接一个高准位电压;

其中另具有一个n沟道金氧半场效晶体管,该n沟道金氧半场效晶体管的源极连接该输入端,该n沟道金氧半场效晶体管的漏极连接该输出端,且该n沟道金氧半场效晶体管的栅极连接该控制端。

4.如权利要求3所述的逆向电压保护装置,其特征在于,该高准位电压与该接地点的电压差大于或等于一个低限电压值,该低限电压值为该n沟道金氧半场效晶体管的临界电压与该n沟道金氧半场效晶体管的寄生二极管的开启电压的总和。

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