[实用新型]防污染装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体晶片工艺技术领域，特别涉及一种防污染装置。 

背景技术

随着晶片的尺寸越来越大，特征尺寸越来越小，所要求的晶片表面的洁净度越来越苛刻。在晶片清洗过程中，化学试剂及清洗产物易沿晶片边缘进入晶片背面，使晶片背面及边缘造成污染，如果不能及时去除这种污染，会使晶片背面和边缘造成缺陷，尤其在后续的高温处理工艺加工过程中，会使背面及边缘的污染物扩散到正面，严重影响晶片的质量，而现有技术中，并没有能够有效防止晶片背面及边缘污染的装置，使得晶片的质量无法进一步提高。 

实用新型内容

(一)要解决的技术问题 

本实用新型要解决的技术问题是：如何防止清洗液及清洗产物沿晶片边缘进入晶片背面，从而防止晶片背面和边缘形成缺陷。 

(二)技术方案 

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种防污染装置，包括：吹扫单元、供气管道和气体供应单元，在所述吹扫单元内设有通气管，所述吹扫单元的上端设有若干第一气孔，所述若干第一气孔分别与所述通气管连通，所述供气管道的一端与所述通气管连通，所述供气管道的另一端与所述气体供应单元连通。 

优选地，所述吹扫单元为中空的圆台形、且上底面的直径小于下底面的直径，所述通气管绕所述吹扫单元的圆周方向一周设置，所述吹扫单元上端的外侧壁与内侧壁之间的夹角为锐角。 

优选地，所述吹扫单元的上端为圆环形，所述圆环形的外圆与所述吹扫单元的外侧壁连接，所述圆环形的内圆与所述吹扫单元的内侧壁连接，所述若干第一气孔设于所述吹扫单元的上端。 

优选地，所述若干第一气孔为竖直向上设置、或按被吹扫对象沿圆周旋转的切线方向与竖直向上方向之间呈预设角度倾斜设置。 

优选地，所述供气管道包括：自气体供应单元向吹扫单元方向依次连通的中空管、连接管和连接通道，所述连接通道与所述吹扫单元的通气管连通。 

优选地，所述连接通道沿所述吹扫单元的直径设置，所述连接通道的外表面为柱体，且横截面为梯形，所述连接通道横截面的上底长度小于下底长度、且两腰之间呈钝角的夹角。 

优选地，所述连接通道的上端设有若干第二气孔，所述若干第二气孔分别与所述通气管连通。 

优选地，所述装置应用于单晶片清洗设备中。 

(三)有益效果 

本实用新型通过设置吹扫单元，实现了防止清洗液及清洗产物沿晶片边缘进入晶片背面，从而防止晶片背面和边缘形成缺陷。 

附图说明

图1是按照本实用新型一种实施方式的防污染装置的结构示意图； 

图2是图1所示的防污染装置的俯视图； 

图3是图2所示的防污染装置的局部放大图； 

图4是图1所示的防污染装置的仰视图； 

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。 

图1是按照本实用新型一种实施方式的防污染装置的结构示意图，包括：吹扫单元1、供气管道和气体供应单元，在所述吹扫单元1内设有通气管2，所述吹扫单元1的上端设有若干第一气孔3，所述若干第一气孔3分别与所述通气管2连通，所述通气管2与所述供气管道的一端连通，所述供气管道的另一端与所述气体供应单元连通。 

优选地，所述吹扫单元1为中空的圆台形、且上底面的直径小于下底面的直径，所述通气管绕所述吹扫单元1的圆周方向一周设置，所述吹扫单元1上端的外侧壁与内侧壁之间的夹角为锐角。 

为方便所述若干第一气孔3的设置，优选地，所述吹扫单元的上端为圆环形，所述圆环形的外圆与所述吹扫单元的外侧壁连接，所述圆环形的内圆与所述吹扫单元的内侧壁连接，所述若干第一气孔设于所述吹扫单元的上端。 

优选地，所述若干第一气孔3为竖直向上设置、或被吹扫对象沿圆周旋转的切线方向与竖直向上方向之间呈预设角度倾斜设置。 

优选地，所述供气管道包括：自气体供应单元向吹扫单元方向依次连通的中空管4、连接管5和连接通道6，所述连接通道6与所述吹扫单元1的通气管2连通。 

参照图1～4，优选地，所述连接通道6沿所述吹扫单元1的直径设置，所述连接通道6的外表面7为柱体，且横截面为梯形，所述连接通道6横截面的上底长度大于下底长度、且两腰之间呈钝角的夹角，所述连接通道6的外表面7的下端与所述中空管4连通，所述连接通道6通过安装孔8与所述中空管4连接。