[实用新型]充电器老化控制板有效
| 申请号： | 201120348036.0 | 申请日： | 2011-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN202204889U | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 赵克泉 | 申请（专利权）人： | 昆山隆泰电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215316 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 充电器 老化 控制板 | ||
【权利要求书】：
1.一种充电器老化控制板，包含用于与充电器连接的4个端子，其中，2个端子连接至市电输出端，另2个端子连接至调控电路的两个端口，其特征在于：所述调控电路包含MOSFET、PWM脉宽调制模块和充电器电压检测控制模块，所述电压检测控制模块的信号采集器的两端做为所述调控电路的两个端口，所述电压检测控制模块的信号采集器的两端同时与MOSFET的漏极和MOSFET的源极相连接，电压检测控制模块的信号输出端与PWM脉宽调制模块的信号输入端相连接；所述PWM脉宽调制模块的脉冲输出端与MOSFET的栅极相连接。
2.根据权利要求1所述的一种充电器老化控制板，其特征在于：所述调控电路的一个端口通过一阻值固定的电阻与所述连接至调控电路的两个端口中的其中之一连接。
3.根据权利要求1所述的一种充电器老化控制板，其特征在于：MOSFET的源极连接一阻值固定的电阻，所述电阻另一端与所述电压检测控制模块的信号采集器的一端连接。
4.根据权利要求2或3所述的一种充电器老化控制板，其特征在于：所述的MOSFET为增强型N沟道场效应管。
5.根据权利要求2或3所述的一种充电器老化控制板，其特征在于：所述的MOSFET为耗尽型N沟道场效应管。
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