[实用新型]拉铆枪控制电路有效
申请号: | 201120258106.3 | 申请日: | 2011-07-21 |
公开(公告)号: | CN202162330U | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | 刘素民 | 申请(专利权)人: | 无锡市威德盛电子有限公司 |
主分类号: | B21J15/28 | 分类号: | B21J15/28 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
地址: | 214142 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 拉铆枪 控制电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种控制电路,尤其是一种电动拉铆枪的控制电路。
背景技术
目前,手动抽芯铆抢是以人工为动力,其双手操作的不便、工作效率低,有些夹角工作面无法施工,工作强度高,容易疲劳。因此需要一种电动拉铆枪来辅助人的工作,提高效率。
发明内容
本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种拉铆枪控制电路,使用方便,并具有多种安全保护功能。
按照本实用新型提供的技术方案,所述拉铆枪控制电路包括电源电路、单片机电路、拉铆行程检测电路和电动机控制电路,所述单片机电路与拉铆行程检测电路和电动机控制电路相连;所述电源电路包括启动开关和稳压电源,电池电压连接单片机电路的启动引脚并通过启动开关接地,电池电压同时连接稳压电源的输入,稳压电源的输出电压连接所述电动机控制电路和拉铆行程检测电路;电动机控制电路控制电动机正反转。
所述拉铆枪控制电路还包括过流检测电路和欠压检测电路,所述过流检测电路和欠压检测电路的输入分别连接电动机控制电路的工作电压和工作电流,过流检测电路和欠压检测电路的输出分别连接单片机电路的电流、电压检测引脚。
进一步的,所述拉铆行程检测电路包括两个霍尔元件TLE4905G感应拉铆行程。稳压电源采用MD7350/TX7350M稳压芯片,为电路提供5V稳压电源。所述过流检测电路和欠压检测电路采用LM358双运算放大器。
本实用新型的优点是:本实用新型提供了一种控制电路,能够控制拉铆枪拉铆动作,监测系统运作状况并做出相应配合,以及处理相应的关键信号,其操作简单,安全高效。
附图说明
图1是本实用新型电路框图。
图2是本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
如图1所示,本控制电路包括电源电路、单片机电路、拉铆行程检测电路和电动机控制电路,所述单片机电路与拉铆行程检测电路和电动机控制电路相连;所述电源电路包括启动开关和稳压电源,电池电压连接单片机电路的启动引脚并通过启动开关接地,电池电压同时连接稳压电源的输入,稳压电源的输出电压连接所述电动机控制电路;电动机控制电路控制电动机正反转。还包括过流检测电路和欠压检测电路,所述过流检测电路和欠压检测电路的输入分别连接电动机控制电路的工作电压和工作电流,过流检测电路和欠压检测电路的输出分别连接单片机电路的电流、电压检测引脚。
如图2所示,主要部件功能说明:(1)单片机IC1(EM78P346)为产品操作控制中心;(2)MD7350稳压芯片IC2为给电路提供5V稳压电源;(3)LM358双运算放大器IC4作为过流/欠压运放器;(4)霍尔元件IC5、IC6(TLE4905G)为行程开关作用,感应拉铆行程;(5)T1、T2、T3、T4分别为电动机正反转H型开关;当T1、T3导通,T2、T4关断时,电机为反转;当T2、T4导通,T1、T3关断时,电机为正转;(6)启动开关S1A(备用开关S1B功能同开关S1A)。
电动机控制电路包括4组互相连接的2只半导体场效应管Q1-T1,Q2-T2,Q3-T3,Q4-T4,其中,半导体场效应管Q1的G极接单片机IC1控制引脚,S极接地,D极通过上拉电阻接高电平并连接半导体场效应管T1的G极,半导体场效应管T1的D极接高电平,S极接电机控制端,S极到D极通过二极管D1连接。其他3组半导体场效应管连接方式类同。通过单片机IC1控制Q1,Q2,Q3,Q4导通和关断分别控制T1,T2,T3,T4的通断来控制电动机正反转。详细如下:
A、半导体场效应管Q1的通断为控制半导体场效应管T1的G极高低电位,当半导体场效应管Q1导通时,半导体场效应管T1的G极为低电位,半导体场效应管T1导通,反之则关断;
B、半导体场效应管Q2的通断为控制半导体场效应管T2的G极高低电位,当半导体场效应管Q2导通时,半导体场效应管T2的G极为低电位,半导体场效应管T2导通,反之则关断;
C、半导体场效应管Q3的通断为控制半导体场效应管T3的G极高低电位,当半导体场效应管Q3导通时,半导体场效应管T3的G极为低电位,半导体场效应管T3关断,反之则导通;
D、半导体场效应管Q4的通断为控制半导体场效应管T4的G极高低电位,当半导体场效应管Q4导通时,半导体场效应管T4的G极为低电位,半导体场效应管T4关断,反之则导通。
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