[实用新型]一种镀膜的钝化太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201120216087.8 申请日: 2011-06-23
公开(公告)号: CN202142539U 公开(公告)日: 2012-02-08
发明(设计)人: 陈佰江 申请(专利权)人: 宁波百事德太阳能科技有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0392
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 315450 *** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 镀膜 钝化 太阳能电池
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种太阳能电池,尤其是涉及一种镀膜的钝化太阳能电池。

背景技术

太阳能电池主要供家庭和工业上作为电源带动负载或给蓄电池充电。由于硅片表面比较光滑,具有较高的放射率,为了提高光的利用率,现有市场中的太阳能电池一般在硅片的表面做出一种陷光结构——制绒,利用单晶硅的各向异性腐蚀在硅片的表面生成金字塔的结构,这种结构虽然可以减小硅片在光下的反射率,现有理想的陷光结构可以使电池的反射率在13%左右,但反射率仍然较高,从而导致光能的利用率较低。

本实用新型为了克服上述缺陷,进行了有益的改进。

实用新型内容

本实用新型的目的在于解决现有技术中的上述不足,提供了一种镀膜的钝化太阳能电池,该钝化太阳能电池的反射率较低,有效地提高了太阳能的利用率。

为了实现上述目的,本实用新型采取以下技术方案:

一种镀膜的钝化太阳能电池,包括电池本体1、硅片3、正面电极4和背电极5,其特殊之处在于:所述的电池本体1两面均镀有一层氮化硅膜2;

优选地;所述的氮化硅膜2厚度约为75mm;

优选地;所述的正面电极4和背电极5各有两条,且正面电极4和背电极5分别对应的分布在电池正面和背面。

本实用新型的有益效果:可进一步降低硅片的反射率,理想的氮化硅减反射膜可以使反射率仅仅有4%左右,使光能的转化效率进一步提高;可钝化硅片中的悬挂键、位错、晶界、点缺陷(空位、填隙原子、金属杂质、氧、氮及他们的复合物)等缺陷,减少少子的复合;提高载流子迁移率20%左右,延长少子的寿命,提高了电池的短路电流和开路电压,从而达到提高晶体硅太阳能电池的转化效率。

附图说明

本实用新型的一个实施例主视图。

本实用新型的一个实施例俯视图

附图标记:1.电池本体;2.氮化硅膜;3.硅片;4.正面电极;5.背电极。

具体实施方式

下面结合附图与实施例对本实用新型作进一步的说明。

本实用新型的实施例参考图1、2所示,

一种双面镀膜钝化电池,包括电池本体1,硅片3,正面电极4和背电极5,所述的电池本体1上两面均镀有一层氮化硅膜2,氮化硅膜2的作用是减少反射率,使光能的转化效率进一步提高;所述的氮化硅膜2厚度约为75mm,这样设计的好处是:可使折射率控制在大约2.0~2.1以内。

PECVD镀膜的原理——在真空压力下,利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜。PECVD方法镀膜的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子,它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。加在电极板上的射频电场,使反应室气体发生辉光放电,在辉光发电区域产生大量的电子。这些电子在电场的作用下获得充足的能量,它与气体分子相碰撞,使气体分子活化。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和和电离的过程,生成活性很高的各种化学基团,它们吸附在衬底上,并发生化学反应生成介质膜,副产物从衬底上解吸,随主气流由真空泵抽走。

双面膜的工艺实现,将短线清洗去处磷硅玻璃后的电池片放在石墨装载框上,放入设备开始工艺(此时的工艺参数包括气体的配比流量、反应速度以及反应功率值等特殊设置)。将镀膜后的电池片翻转后重新放在石墨装载框开始工艺。(此时的工艺参数包括气体的配比流量、反应速度以及反应功率值等特殊设置)。且在整个工艺的过程中镀一面膜时避免另一面受到干扰。对双面镀理想的SiNx:H膜后的电池片进行印刷电极,高温烧结后测试,发现双面镀膜的电池短路电流有较大的提高。

本实用新型的有益效果:可进一步降低硅片的反射率,理想的氮化硅减反射膜可以使反射率仅仅有4%左右,使光能的转化效率进一步提高;可钝化硅片中的悬挂键、位错、晶界、点缺陷(空位、填隙原子、金属杂质、氧、氮及他们的复合物)等缺陷,减少少子的复合;提高载流子迁移率20%左右,延长少子(少数载流子)的寿命,提高了电池的短路电流和开路电压,从而达到提高晶体硅太阳能电池的转化效率。

以上所述实施方式仅表达了本实用新型的一种实施方式,但并不能因此而理解为对本实用新型范围的限制。应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。

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