[实用新型]一种晶片腐蚀装置有效
申请号: | 201120197276.5 | 申请日: | 2011-06-13 |
公开(公告)号: | CN202159647U | 公开(公告)日: | 2012-03-07 |
发明(设计)人: | 秦涛;叶光奇;秦玉林 | 申请(专利权)人: | 湖北致源电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 武汉天力专利事务所 42208 | 代理人: | 冯卫平 |
地址: | 430071 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶片 腐蚀 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种电子产品加工机械,特别是一种晶片腐蚀装置。
背景技术
目前晶体频率的腐蚀是完全人工操作,按照如下步骤进行:
1.测试腐蚀前晶体的频率;2.根据目标频率计算要腐蚀的时间;3.放入腐蚀槽进行腐蚀;4.腐蚀后取出,测试频率;5.如果频率达到目标值;直接到8步骤;6.如果频率低于目标频率,腐蚀量不够,返回到2步骤;7.如果频率高于目标频率,则作废;8.清洗液清洗;9.离子水清洗;10.脱水烤干。
以上的每一步骤都是经过人工完成;这其中生产如下几个问题:
1.腐蚀液是强酸性的,对人体有害;很多人不愿意从事这个工作。2.工人往往根据直接的经验来直接设置腐蚀时间,这样就造成合格率不高;3.清洗要花费工人很多时间,而且清洗不干净;4.人工要求多,在现在人力资源紧缺的情况下,增加了人工成本;5.生产效率低。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种晶片腐蚀装置,它全程无需人工直接操作,人工成本低,工作效率高。
实现本实用新型目的的技术方案是: 一种晶片腐蚀装置,包括并行排布的腐蚀液槽、清洗液清洗槽以及离子水清洗槽,其特征在于:在腐蚀液槽、清洗液清洗槽以及离子水清洗槽的上方具有一个由动力源驱动的偏心轮,该偏心轮的一端与动力源的输出端连接,另一端通过连杆与晶片收纳筐连接,所述的偏心轮固定在一由举升装置支撑的导轨上。
而且所述的举升装置包括升降杆以及驱动它的升降电机。
而且所述的导轨底部的两端分别设置有主动电机以及从轴。
而且所述的动力源是低速电机。
本实用新型的优点在于:1.全程无需人工直接操作,安全,对操作人员的专业知识要求低。2.工作效率高。3.所需人工少,生产成本低。
附图说明
图1是晶片腐蚀装置的结构示意图。
具体实施方式
参见图1以下将结合实施例对本实用新型做进一步说明。
一种电子产品加工机械,特别是一种晶片腐蚀装置, 包括并行排布的腐蚀液槽1、清洗液清洗槽2以及离子水清洗槽3,其特征在于:在腐蚀液槽1、清洗液清洗槽2以及离子水清洗槽3的上方具有一个由动力源8驱动的偏心轮7,该偏心轮7的一端与动力源8的输出端连接,另一端通过连杆12与晶片收纳筐6连接,所述的偏心轮7固定在一由举升装置支撑的导轨5上。
工作时,导轨5带动偏心轮7移动到当前工序对应的槽的上方,这时升降机构开始下降,当偏心轮7通过连杆12连接的晶片收纳筐6下降至相应的槽内后,动力源8开始驱动偏心轮7转动,此时晶片收纳筐6在偏心轮7的带动下在槽内开始做不规则的运动,这样晶片在晶片收纳筐6内被尽可能分开,腐蚀以及清洗的效果好。
当当前槽内的工序完成后,升降机构开始上升,晶片收纳筐6被带出槽体,然后在导轨5的带动下行进至下一工序对应的槽上方,升降机构开始下降,进入下一道工序。全程无需人工直接操作,安全,生产效率高。
而且所述的举升装置包括升降杆10以及驱动它的升降电机11。
升降杆10在升降电机11的驱动下工作,从而带动导轨5下上升或下降。
进一步的技术方案可以是所述的导轨5底部的两端分别设置有主动电机4以及从轴9。
导轨5铺设在主动电机4以及从轴9上,并在主动电机4的驱动下平动。
而且所述的动力源8是低速电机。
低速电机带动偏心轮7转动,从而通过连接在偏心轮7上的连杆12带动晶片收纳筐6做不规则运动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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