[实用新型]一种带隙基准电压产生电路有效
申请号: | 201120179969.1 | 申请日: | 2011-05-31 |
公开(公告)号: | CN202120153U | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | 梁思文;刘成军 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518118 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基准 电压 产生 电路 | ||
1.一种带隙基准电压产生电路,其特征在于,包括:
偏置电路,在外界电源的作用下产生偏置电流;
核心电路,连接上述偏置电路,在所述偏置电流的作用下产生输出电压,所述核心电路包括第一译码器和第一修调电路,所述第一译码器根据第一预设值进行译码得到第一修调控制信号,所述第一修调控制信号控制第一修调电路对输出电压进行修调;
第二译码器,根据第二预设值进行译码得到第二修调控制信号;
第二修调电路,根据第二修调控制信号对基准电压进行修调。
2.根据权利要求1所述的带隙基准电压产生电路,其特征在于,所述第二修调电路包括复数个电阻和与电阻一一对应的复数个开关,所述第二修调控制信号控制复数个开关的导通和断开;所述复数个电阻串联,其中一个总开关连接电阻串联后的首尾端,其他开关的一端分别连接串联电阻之间的节点,另一端均连接所述总开关的一端。
3.根据权利要求1所述的带隙基准电压产生电路,其特征在于,所述第二修调电路包括复数个电阻和与电阻一一对应的复数个开关,所述第二修调控制信号控制复数个开关的导通和断开;所述复数个电阻串联,复数个开关均与相应的电阻并联。
4.根据权利要求1所述的带隙基准电压产生电路,所述第一修调电路包括复数个电阻和与电阻一一对应的复数个开关,所述第一修调控制信号控制复数个开关的导通和断开;所述复数个电阻串联,其中一个总开关连接电阻串联后的首尾端,其他开关的一端分别连接串联电阻之间的节点,另一端均连接所述总开关的一端。
5.根据权利要求1所述的带隙基准电压产生电路,其特征在于,所述第一修调电路包括复数个电阻和与电阻一一对应的复数个开关,所述第一修调控制信号控制复数个开关的导通和断开;所述复数个电阻串联,复数个开关均与相应的电阻并联。
6.根据权利要求1至5任一项所述的带隙基准电压产生电路,其特征在于,所述核心电路还包括集成运算放大器、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一电阻、第一译码器、第一修调电路;集成运算放大器的偏置端连接偏置电路的输出端;所述第一PMOS管的源极、第二PMOS管的源极和第三PMOS管的源极均连接电源,第一PMOS管的栅极、第二PMOS管的栅极和第三PMOS管的栅极均连接在一起并与集成运算放大器的输出端连接;第一晶体管的栅极和集电极、第二晶体管的栅极和集电极以及第三晶体管的栅极和集电极均与地信号连接,第一晶体管的发射极与第一PMOS管的漏极均与集成运算放大器的第一输入端连接,第二晶体管的发射极通过第一电阻与集成运算放大器的第二输入端连接,集成运算放大器的第二输入端连接第二PMOS管的漏极;第三晶体管的发射极通过第一修调电路与第三PMOS管的漏极连接;第一译码器根据第一预设值进行译码得到第一修调控制信号;第一修调电路,根据第一修调控制信号对第三PMOS管漏极的输出电压进行修调。
7.根据权利要求6所述的带隙基准电压产生电路,其特征在于,所述第一输入端为负输入端,第二输入端为正输入端。
8.根据权利要求1所述的带隙基准电压产生电路,其特征在于,还包括第二放大器和第二电阻,所述第二放大器的第一输入端连接所述核心电路的输出电压,第二放大器的输出端依次通过第二修调电路和第二电阻连接后与地信号连接,第二放大器的第二输入端连接第二修调电路和第二电阻的节点。
9.根据权利要求8所述的带隙基准电压产生电路,其特征在于,所述第一输入端为正输入端,第二输入端为负输入端。
10.根据权利要求1所述的带隙基准电压产生电路,其特征在于,还包括第三放大器、第四放大器、第二电阻、第三电阻和第四电阻,所述第三放大器的第一输入端连接所述核心电路的输出电压,第三放大器的第二输入端连接输出端,第三放大器的输出端通过第三电阻和第四电阻串联后连接到地信号;所述第四放大器的第一输入端连接第三电阻和第四电阻串联的节点,第四放大器的输出端依次通过第二修调电路和第二电阻连接后与地信号连接,第四放大器的第二输入端连接第二修调电路和第二电阻的节点。
11.根据权利要求10所述的带隙基准电压产生电路,其特征在于,所述第一输入端为正输入端,第二输入端为负输入端。
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