[实用新型]一种单片机IO口的状态选择电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及选择电路领域，尤其涉及一种单片机IO口的状态选择电路。

背景技术

在产品设计中，我们常会用到单片机的输入输出(IO)口来做状态选择判断，从而执行不同的程序内容。目前现有技术中都是利用单片机的IO口来识别高低电平两种状态，如果要识别大于2种状态，就必须增加IO口。如图1所示，将与单片机的IO口连接的IO_TEST脚设置为输入高阻态，如果S1的2、3导通，那么IO_TEST检测的为高电平，如果S1的1、2导通，那么IO_TEST检测的为低电平，这样就可以识别两种不同的状态，但是在实际设计应用中，我们往往不只有两种状态，如果有三种状态选择的话，按照目前的方法，那么就只能增加一个单片机IO口来实现，而增加一个IO口的成本较高。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于针对现有技术中通过增加单片机IO口来增加检测状态个数，成本较高的缺陷，提供一种不增加单片机IO口就可以提供三种状态选择的单片机IO口的状态选择电路。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

提供一种单片机IO口的状态选择电路，包括IO检测端、电阻和单刀双掷开关，所述IO检测端与单片机的IO口和电阻的一端连接，所述电阻的另一端与所述单刀双掷开关的可动端连接，所述单刀双掷开关的两个不动端分别与高电平和地连接，该电路还包括用于充放电的储能单元，所述储能单元连接在所述单刀双掷开关的可动端和地之间。

本实用新型所述的单片机IO口的状态选择电路中，所述储能单元为电容。

本实用新型所述的单片机IO口的状态选择电路中，所述电阻为1千欧姆，所述电容的电容值为0.1微法。

使用本实用新型具有以下有益效果：通过在单刀双掷开关的可动端和地之间连接一储能单元，当单刀双掷开关的可动端与高电平连接时，为储能单元充电，储能单元的电平为高电平；当单刀双掷开关的可动端与地连接时，为储能单元放电，储能单元的电平为低电平；当单刀双掷开关的可动端悬空时，储能单元的电平取决于通过电阻为其充放电的IO检测端；本实用新型通过增加储能单元实现了单片机IO口的三种状态选择。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中：

图1是现有技术单片机IO口的状态选择电路的结构示意图；

图2是本实用新型较佳实施例单片机IO口的状态选择电路的结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

在本实用新型的较佳实施例中，如图2所示，单片机IO口的状态选择电路包括IO检测端IO_TEST、电阻R1和单刀双掷开关S1，IO检测端IO_TEST与单片机的IO口和电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端与单刀双掷开关S1的可动端2连接，单刀双掷开关S1的两个不动端，分别与高电平和地连接，图2中，单刀双掷开关S1的两个不动端分别为不动端1和不动端3，本实用新型较佳实施例中不动端3与高电平连接，不动端1与地连接；当然在其他实施例中不动端3也可以与地连接，相应地不动端1与高电平连接。

如图2所示，该电路还包括用于充放电的储能单元，储能单元连接在单刀双掷开关S1的可动端2和地之间，储能单元可选用电容C3。当单刀双掷开关S1的可动端2与不动端3连接时，即可动端2与高电平连接，充电一段时间后，电容C3电平为高电平；当单刀双掷开关S1的可动端2与不动端1连接时，即可动端2与地连接，电容C3放电，电容C3的电平为低电平；当单刀双掷开关S1的可动端2悬空时，电容C3的电平取决于通过电阻为其充放电的IO检测端；这样IO检测端IO_TEST就可以有三种状态，实现了单片机IO口的三种状态选择。