[实用新型]低压差线性稳压器有效

专利信息
申请号: 201120123290.0 申请日: 2011-04-25
公开(公告)号: CN202067171U 公开(公告)日: 2011-12-07
发明(设计)人: 皮常明;何波;蒋亮亮 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 201210 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 低压 线性 稳压器
【权利要求书】:

1.一种低压差线性稳压器,其特征在于:包括全差分运算放大器,其输出端为低压差线性稳压器的输出端,用于稳定低压差线性稳压器的输出端的电压值;偏置电流控制电路,根据全差分运算放大器输出端的负载电流大小自适应调节全差分运算放大器的静态电流。

2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器,其特征在于:所述全差分运算放大器包括第一级电路和第二级电路。

3.根据权利要求2所述的低压差线性稳压器,其特征在于:

所述第一级电路包括第一电流源(I1)、第一晶体管(M1)、第二晶体管(M2)、第三晶体管(M3)、第四晶体管(M4),所述第三晶体管(M3)的栅漏极短接后的公共点与第二晶体管(M2)的漏极电连接,所述第四晶体管(M4)的栅漏极短接后的公共点与第一晶体管(M1)的漏极电连接,所述第三晶体管(M3)和第四晶体管(M4)的共源端接电源电压(VDD),所述第一晶体管(M1)和第二晶体管(M2)的共源端通过第一电流源(I1)接地,所述第一晶体管(M1)的栅极端为参考电压(VREF)的输入端,所述第二晶体管(M2)的栅极端为全差分运算放大器的输出端V0

所述第二级电路包括第二电流源(I2)、第五晶体管(M5)、反馈支路,所述第五晶体管(M5)的源极端接电源电压(VDD)、栅极端与第四晶体管(M4)的栅极电连接、漏极端接全差分运算放大器的输出端V0,所述反馈支路并接在第五晶体管(M5)的栅漏端,所述第二电流源(I2)的负接接地、正端接全差分运算放大器的输出端V0,所述第四晶体管(M4)的栅极端为反馈信号控制端,所述第五晶体管(M5)的栅极端为负载电流控制端。

4.根据权利要求3所述的低压差线性稳压器,其特征在于:所述反馈支路包括第一电阻(R1)、第一电容(C1),所述第一电阻(R1)和第一电容(C1)串联后,其电阻端接第五晶体管(M5)的栅极端,其电容端接第五晶体管(M5)的漏极。

5.根据权利要求3所述的低压差线性稳压器,其特征在于:所述第五晶体管(M5)的宽长比与第四晶体管(M4)的宽长比的比值范围为10∶1到100∶1。

6.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器,其特征在于:所述偏置电流控制电路,包括第六晶体管(M6)、第七晶体管(M7)、第八晶体管(M8)、第九晶体管(M9),所述第六晶体管(M6)的源极接电源电压(VDD)、栅极端与全差分运算放大器的负载电流控制端电连接、漏极分别连接第七晶体管(M7)的漏极端和第八晶体管(M8)的栅极端,所述第七晶体管(M7)的源极端分别连接第八晶体管漏极端和第九晶体管(M9)的栅极端,所述第七晶体管(M7)的栅极端为使能信号控制端(EN),所述第八晶体管(M8)和第九晶体管(M9)的源极端接地,所述第九晶体管(M9)的漏极端与第一电流源(I1)的正端连接。

7.根据权利要求5所述的低压差线性稳压器,其特征在于:所述第九晶体管(M9)的宽长比与第八晶体管(M8)的宽长比的比值为2∶1。

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