[实用新型]一种薄膜晶体管及显示装置有效
申请号: | 201120119999.3 | 申请日: | 2011-04-21 |
公开(公告)号: | CN202282354U | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
发明(设计)人: | 杨海鹏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 张颖玲;王黎延 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管,包括由源电极和漏电极构成的沟道,其特征在于,所述构成沟道的源电极和漏电极的沟道线条由偶数段弧线形成。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述偶数段弧线凹凸互补,源电极和漏电极各自的面积不变。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述弧线为圆弧线。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述圆弧线对应的圆心角大于0度、且小于或等于180度。
5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述圆弧线对应的弧半径为4um-40um。
6.根据权利要求1至5任一项所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述薄膜晶体管的沟道线条为偶数段圆心角相同、弧半径相同的反向圆弧线组成。
7.根据权利要求1至5任一项所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述薄膜晶体管的沟道为U形沟道。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述U形沟道的转角部分的源电极和漏电极的沟道线条由三条线段连接组成,每两条相邻线段夹角为135度。
9.一种显示装置,其特征在于,包含如权利要求1至8任一项所述的薄膜晶体管。
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