[实用新型]薄膜晶体管阵列基板、液晶面板和显示设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示领域，特别涉及一种薄膜晶体管阵列基板和包含所述阵列基板的液晶面板以及包括所述液晶面板的显示设备。

背景技术

现有技术中，TFT LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)的阵列基板一般包括：薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)、栅线(Gate line)、数据线(Data line)和公共电极线(Common line)。为了提高开口率，现有技术中在制造薄膜晶体管阵列基板时，往往采用使用栅极金属(gate metal)在数据线(Data line)10下方形成公共电极线(Commonline)20的方式，如图1和图2所示。图1和图2所示中，10为数据线，20为公共电极线，13为像素电极(一般为ITO)，14为栅线(Gate line)，15为薄膜晶体管(TFT)。图1示出的是阵列基板的一个像素结构，其中数据线10垂直设置，公共电极线20平行于数据线设置。

但是，在上述方式下，数据线(Data line)10与公共电极线(common line)20形成了交叠(同“交迭”)，而这种交叠会带来数据线与公共电极线之间的寄生电容Cdc(capacitance data common)电容量的增加，造成公共电极线传输延时(common delay)，最终影响显示效果，同时寄生电容Cdc(capacitancedata common)的增加也会在一定程度上增大功耗。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管阵列基板和包含所述阵列基板的液晶面板，以及包括所述液晶面板的显示设备，能够减少由于阵列基板的数据线和公共电极线交迭带来的寄生电容增加的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型的实施例提供技术方案如下：

本实用新型提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括：薄膜晶体管、栅线、数据线和公共电极线，所述数据线和所述公共电极线交迭形成交迭区域，所述数据线和所述公共电极线中的至少一个在所述交迭区域中设置有开口。

所述开口设置在所述公共电极线上。

所述开口设置在所述数据线上。

所述开口的外缘位于所述交迭区域内。

所述数据线垂直设置，所述栅线水平设置，所述公共电极线与所述数据线平行设置。

所述数据线水平设置，所述栅线垂直设置，所述公共电极线与所述数据线平行设置。

所述开口为矩形、圆形、菱形、或者椭圆形。

当所述开口为矩形时，所述矩形的宽度小于2um。

本实用新型还提供一种液晶面板，包括上述的阵列基板。

此外，本实用新型还一种显示设备，包括所述的液晶面板。

本实用新型的实施例具有以下有益效果：

上述方案中，当阵列基板的数据线和公共电极线交迭时，所述数据线和所述公共电极线中的至少一个在所述交迭区域中设置有开口，因此，减少了数据线和公共电极线交迭的面积，从而减少了由于交迭带来的寄生电容增加的问题。

附图说明

图1为现有技术中阵列基板的像素结构的示意图；

图2为图1中薄膜晶体管阵列基板的公共电极线和数据线形成交迭的放大示意图；

图3(a)为本实用新型的第一实施例中公共电极线和数据线形成交迭时数据线的示意图；

图3(b)为本实用新型的第一实施例中公共电极线和数据线形成交迭时公共电极线的示意图，开口设置在公共电极线上；

图3(c)为本实用新型的第一实施例中公共电极线和数据线形成交迭时的交迭示意图；

图4(a)为本实用新型的第二实施例中公共电极线和数据线形成交迭时数据线的示意图，开口设置在数据线上；

图4(b)为本实用新型的第二实施例中公共电极线和数据线形成交迭时公共电极线的示意图；

图4(c)为本实用新型的第二实施例中公共电极线和数据线形成交迭时的交迭示意图；

图5(a)为进行栅金属层沉积步骤的示意图；

图5(b)为进行栅金属层掩模步骤的示意图；

图5(c)为对光刻胶进行灰化工艺的示意图；

图5(d)为进行栅金属层蚀刻步骤的示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。