[实用新型]液晶显示器的像素结构及液晶显示器

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示器制造领域，尤其涉及一种液晶显示器的像素结构及液晶显示器。

背景技术

近年来，薄膜场效应晶体管-液晶显示装置(Thin Film Transistor-LiquidCrystal Display，简称TFT-LCD)因为其体积小、功耗低、无辐射等特点，在平板显示器市场占主导地位。

常规的TFT-LCD阵列基板中，每个像素均由红绿蓝(RGB)三个亚像素构成，通过控制每个亚像素的灰度实现图像的动态显示，每个亚像素的像素电极的电压均由一个TFT器件控制，像素电极的电压大小决定了液晶分子的偏转幅度。目前，TFT-LCD阵列基板中的像素结构，大多采用底栅顶接触结构，如图1和2所示，由栅极11、绝缘层12、有源层图案13以及源极14、漏极15构成TFT器件，TFT器件的沟道16为半环形。

在实现实用新型实施例的过程中，发明人发现，在源极的边缘存在转角，转角处也刚好是沟道的边缘，尖锐的转角会使得电场线分布密集，电场梯度远大于沟道内正常水平，造成此处形成较大电场梯度。这使得源极两端的一部分电场不经过有源层图案直接到达漏极，这部分不经过有源层图案直接到达漏极的电场起不到驱动沟道载流子的作用，从而造成了通过源极传输的信号电压的利用率降低。··

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种液晶显示器的像素结构及液晶显示器，能够保证通过源极传输的信号电压的利用率。

为解决上述技术问题，本实用新型实施例提供的液晶显示器的像素结构及液晶显示器，采用如下技术方案：

一种液晶显示器的像素结构，包括基板和形成在所述基板上的TFT器件，所述TFT器件的沟道为闭合环形。

具体的，所述TFT器件包括与栅线为一体的栅极、形成于所述栅极上的有源层图案、形成于所述有源层图案上的环形源极以及与该环形源极同心的圆形漏极，所述有源层图案、环形源极以及圆形漏极相配合形成闭合环形沟道，所述源极、漏极以及沟道上形成有钝化层，像素电极通过钝化层上的过孔与所述TFT器件的漏极相连。

进一步的，为了合理的配合所述源极以及漏极的结构，所述栅极为圆形，所述有源层图案为圆形或环形。

进一步的，为了合理的配合所述源极以及漏极的结构并降低栅极与漏极之间的寄生电容、减小信号延迟时间，所述栅极为环形，所述有源层图案为圆形或环形。

进一步的，为了避免像素电极与过孔连接部分在由源漏极与钝化层共同形成的台阶效应下导致像素电极断线，所述有源层图案的外边沿超出所述源极的外环。

具体的，所述钝化层上的过孔对应于所述圆形漏极的圆心。

进一步的，为了降低TFT器件的阈值电压，所述漏极与所述源极相对的面上设有多个内陷槽，所述源极与所述漏极相对的面上设有与所述内陷槽对应的凸起。

进一步的，为了防止凸起部分产生过大的电场梯度损害TFT器件，所述凸起为钝角结构，所述钝角面向所述内陷槽。

进一步的，为了保证沟道中电场的均匀性，所述多个内陷槽关于漏极圆心对称。

一种液晶显示器，采用上述的像素结构。

本实用新型提供的一种液晶显示器的像素结构及液晶显示器，由于像素结构中TFT器件的沟道为闭合环形，源极的首尾相连，通过源极传输的信号电压必须用过有源层图案才能到达漏极，保证了通过源极传输的信号电压的利用率，避免了源极两端的一部分电场不经过有源层图案直接到达漏极的情况发生。此外，由于源极首尾相连，提高了沟道的宽长比W/L，进而提高了TFT器件的开态电流I_on。

附图说明

图1为现有技术液晶显示器的像素结构的示意图；

图2为图1的A-A剖视图；

图3为本实用新型液晶显示器的像素结构示意图；

图4为本实用新型液晶显示器的像素结构中TFT器件结构示意图。

具体实施方式

本实用新型实施例提供一种液晶显示器的像素结构及液晶显示器，能够保证通过源极传输的信号电压的利用率。

下面结合附图对本实用新型实施例液晶显示器的像素结构进行详细描述。

如图3所示，本实用新型实施例提供的液晶显示器的像素结构，包括基板31和形成在所述基板31上的TFT器件32，所述TFT器件的沟道321为闭合环形。