[实用新型]一种太阳能电池组件有效
申请号: | 201120074903.6 | 申请日: | 2011-03-21 |
公开(公告)号: | CN202049962U | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 吴达;曹晓宁;彭路明 | 申请(专利权)人: | 中广核太阳能开发有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/048;H01L31/02 |
代理公司: | 北京市盛峰律师事务所 11337 | 代理人: | 赵建刚 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 组件 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能发电技术领域,尤其涉及一种太阳能电池组件。
背景技术
太阳能电池组件(也叫太阳能电池板)是太阳能发电系统中的核心部分,也是太阳能发电系统中价值最高的部分。其作用是将太阳能转化为电能,或送往蓄电池中存储起来,或推动负载工作。太阳能电池板的质量和成本将直接决定整个系统的质量和成本。
现有技术中的太阳能电池组件中通常采用单晶硅、多晶硅和非晶硅等单一材料制成。其中:
(1)单晶硅太阳能电池的光电转换效率为15%左右,最高的达到24%,这是目前所有种类的太阳能电池中光电转换效率最高的,但制作成本很大,以致于它还不能被大量广泛和普遍地使用。由于单晶硅一般采用钢化玻璃以及防水树脂进行封装,因此其坚固耐用,使用寿命一般可达15年,最高可达25年。
(2)多晶硅太阳电池的制作工艺与单晶硅太阳电池差不多,但是多晶硅太阳能电池的光电转换效率则要降低不少,其光电转换效率约12%左右(2004年7月1日日本夏普上市效率为14.8%的世界最高效率多晶硅太阳能电池)。从制作成本上来讲,比单晶硅太阳能电池要便宜一些,材料制造简便,节约电耗,总的生产成本较低,因此得到大量发展。此外,多晶硅太阳能电池的使用寿命也要比单晶硅太阳能电池短。从性能价格比来讲,单晶硅太阳能电池还略好。
(3)非晶硅太阳电池是1976年出现的新型薄膜式太阳电池,它与单晶硅和多晶硅太阳电池的制作方法完全不同,工艺过程大大简化,硅材料消耗很少,电耗更低,它的主要优点是在弱光条件也能发电。但非晶硅太阳电池存在的主要问题是光电转换效率偏低,目前国际先进水平为10%左右,且不够稳定,随着时间的延长,其转换效率衰减。
一般来说,单晶硅、多晶硅太阳能电池组件在较强光照条件下转换效率较高,但在弱光条件下转换效率迅速下降,这样在阴雨天和晴天正午前后两小时以外阳光较弱时就不能正常工作。
而非晶硅太阳能电池组件在较强光照条件下发电能力较低,但在弱光条件下转换效率下降较少,因此在晴天正午前后两小时左右其发电能力较低,为提高输出功率必须加大太阳能电池组件的使用面积。
因此,无论是单晶硅、多晶硅太阳能电池组件还是非晶硅太阳能电池组件在单独作为电源使用时均无法提供相对稳定可靠的电源。
发明内容
本实用新型的目的为了克服单晶硅、多晶硅太阳能电池组件在阴雨天时不能正常工作和非晶硅太阳能电池组件在晴天时其输出功率较低的缺陷,而提供一种新型的太阳能电池组件,即在晴天的强光和弱光条件下均能发电的太阳能电池组件。
为了实现上述发明目的,本发明采用的技术方案如下:
一种太阳能电池组件,包括组合电池组和防反充二极管(4),所述组合电池组由单晶硅或多晶硅电池片组(1)和非晶硅电池片组(2)组成,所述单晶硅或多晶硅电池片组(1)的引出电极和所述非晶硅电池片组(2)的引出电极各经过至少一个所述防反充二极管(4)后并联连接。
还包括封装材料(3),所述组合电池组由封装在所述封装材料(3)中的所述单晶硅或多晶硅电池片组(1)和所述非晶硅电池片组(2)组成。
所述组合电池组由所述非晶硅电池片组(2)和一焊接好的晶体硅太阳能电池片组阵列上下叠加而成。
所述非晶硅电池片组(2)包括PN结和玻璃,所述PN结镀膜在所述玻璃上,其膜层为透明。
所述组合电池组由所述单晶硅或多晶硅电池片组(1)和所述非晶硅电池片组(2)并列封装在一块太阳能电池板上组成。
本实用新型中,根据单晶硅或多晶硅电池片、非晶硅电池片的电性能,组成在晴天正午前后两小时左右单晶硅或多晶硅电池片产生较强的电能,非晶硅作为补充也产生一定的电能;而在阴雨天和晴天正午前后两小时以外非晶硅电池片仍产生电能,单晶硅电池片或多晶硅电池片只能产生较小的电能作为补充能源,从而就形成一种全天候太阳能电池组件。
本实用新型中用于制造晶硅太阳电池组件的所有材料应根据使用条件考虑强度、刚度、弹性变形、耐用性和其他化学、物理性能,选用最适用的、新的、优质的、无损伤和缺陷材料。
本实用新型中,采用EVA、玻璃等层压封装的组件,EVA的交联度大于65%,EVA与玻璃的剥离强度大于30N/cm2。EVA与组件背板剥离强度大于15N/cm2。
本实用新型中:
(1)每块太阳电池组件应带有正负出线、正负极连接头和旁路二极管。
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