[实用新型]一种天线连接状态检测电路有效

专利信息
申请号: 201120019266.2 申请日: 2011-01-21
公开(公告)号: CN201993430U 公开(公告)日: 2011-09-28
发明(设计)人: 戴继加;龚夺;杨云 申请(专利权)人: 比亚迪股份有限公司
主分类号: G01R31/02 分类号: G01R31/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518118 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 天线 连接 状态 检测 电路
【权利要求书】:

1.一种天线连接状态检测电路,其特征在于,所述检测电路包括: 

用于检测通过待测负载的电流信号,并将电流信号转换成电压信号的检测单元; 

用于将所述电压信号与预设参考电压进行比较,得到比较输出值的比较单元;

根据所述比较输出值确定所述待测负载连接状态的判断单元。

2.如权利要求1所述的天线连接状态检测电路,其特征在于,所述检测单元包括:

用于驱动所述待测负载的运放输出驱动模块;

将通过所述待测负载的电流信号镜像输出并将其转换为电压信号的镜像模块。

3.如权利要求2所述的天线连接状态检测电路,其特征在于,所述运放输出驱动模块包括:第一PMOS管、第二NMOS管、第一电容、第一电阻、第二电容、第二电阻;所述镜像模块包括:第三PMOS管、第三电阻;

所述第一PMOS管栅极连接第一检测信号,源极连接电源电压;

所述第一电容和第一电阻串联后连接于所述第一PMOS管栅极与漏极之间;

所述第二NMOS管栅极连接第二检测信号,源极接地;漏极与所述第一PMOS管的漏极连接并输出与所述待测负载连接;所述待测负载另一端接地;

所述第二电容和第二电阻串联后连接于所述第二NMOS管栅极与漏极之间;

所述第三PMOS管栅极连接第一检测信号,源极连接电源电压;漏极连接第三电阻;所述第三电阻另一端接地;

所述第三PMOS管漏极端引出电压信号的输出端。

4.如权利要求2所述的天线连接状态检测电路,其特征在于,所述运放输出驱动模块包括:第一PMOS管、第二NMOS管、第一电容、第一电阻、第二电容、第二电阻;所述镜像模块包括:第三NMOS管、第三电阻;

所述第一PMOS管栅极连接第一检测信号,源极连接电源电压;

所述第一电容和第一电阻串联后连接于所述第一PMOS管栅极与漏极之间;

所述第二NMOS管栅极连接第二检测信号,源极接地;漏极与所述第一PMOS管的漏极连接并输出与所述待测负载连接;所述待测负载另一端接地;

所述第二电容和第二电阻串联后连接于所述第二NMOS管栅极与漏极之间;

所述第三电阻连接在电源电压与所述第三NMOS管漏极之间;所述第三NMOS管栅极连接第二检测信号,源极接地; 

所述第三NMOS管漏极端引出电压信号的输出端。

5.如权利要求1所述的天线连接状态检测电路,其特征在于,所述检测单元包括:

用于驱动所述待测负载的负载驱动模块;

将所述通过待测负载的电流信号转换为电压信号的转换模块。

6.如权利要求5所述的天线连接状态检测电路,其特征在于,所述负载驱动模块包括:第一PMOS管、第二NMOS管、第一电阻;所述转换模块包括:第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、减法器;

所述第一PMOS管栅极连接第一检测信号,源极连接电源电压;

所述第二NMOS管栅极连接第二检测信号,源极接地,漏极与所述第一PMOS管漏极连接;

所述第一电阻连接在第一PMOS管漏极与所述待测负载之间,所述待测负载另一端接地;

所述第二电阻连接在所述第一电阻一端与所述减法器正向输入端之间;第四电阻连接在所述减法器正向输入端与地之间;

所述第三电阻连接在所述第一电阻另一端与所述减法器反向输入端之间;所述第五电阻连接在所述减法器反向输入端与输出端之间;

所述减法器输出端作为电压信号的输出端。

7.如权利要求1所述天线连接状态检测电路,其特征在于, 所述检测电路还包括:用于对所述比较输出值持续的周期进行计数,当计数超过N个周期后,输出计数完成信号的计数单元,所述N为大于等于2的整数;

所述计数单元与比较单元和判断单元连接;

所述判断单元根据计数完成信号确定所述待测负载的连接状态。

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