[实用新型]快恢复二极管无效
| 申请号: | 201120008397.0 | 申请日: | 2011-01-12 |
| 公开(公告)号: | CN202084548U | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
| 发明(设计)人: | 张春培 | 申请(专利权)人: | 连云港金堂福半导体器件有限公司 |
| 主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L29/41 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申海庆 |
| 地址: | 222023 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 恢复 二极管 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种快恢复二极管,尤其是涉及一种设置有焊片和引线装置的快恢复二极管。
背景技术
现有的二极管一般包括有晶粒,即通常所说的PN结,晶粒被封装在塑料内,然后晶粒的左右两端通常两条引线引出,同时所采用的原料中铅等金属元素较多。实用新型发明人在使用中发现现有技术至少存在下述问题:一、晶粒被封装在塑料内时,晶粒的两端与引线的连接往往强度不够,使用中容易损坏,并且现有的二极管在加工时晶粒缺少保护层,容易受到污染和破坏:二,所采用的材料不够环保,超过我国和欧盟等地区的环保标准,大量使用对环境造成较大破坏。
有鉴于此,本实用新型发明人乃积极开发研究,并为改进上述产品的不足,经过长久努力研究与实验,终于开发设计出本实用新型的快恢复二极管。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种快恢复二极管,能够解决现有技术中引线连接强度不够、容易受到污染及不够环保的问题。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种快恢复二极管,包括晶粒和环氧模塑料,所述晶粒PN结中间设置有基区,所述晶粒的外侧设置有引线装置,所述晶粒与引线装置的一端依次相连,所述环氧模塑料将所述晶粒和引线装置的一端包覆在内。
优选地,所述引线装置为一干字结构,包括一连接层、一防护层和一引线,所述连接层与所述晶粒相接,所述引线的一端连接至连接层中央,所述防护层中央与所述引线连接。
优选地,所述晶粒和所述连接层相连侧的表面积相等。
优选地,所述快恢复二极管为环保材料制作。
采用本实用新型的技术方案后,由于在所述晶粒的两侧设置有焊片,焊片的两侧设置有引线装置,引线装置设置为干字结构,包括有连接层和防护层,因此遭焊片融化时使得晶粒与引线装置牢固连接在一起,防护层能够使得对引线加工时不会污染晶粒,使得本实用新型二极管的连接强度和工作稳定性得到提高,同时采用环保材料制作,更能保护环境。
附图说明
图1是本实用新型实施例的结构示意图。
图2是本实用新型实施例分解结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施方式对本实用新型作进一步详细说明。
请参阅图1和图2,为本实用新型一种具体实施方式,一种快恢复二极管,包括晶粒1和环氧模塑料4,所述晶粒1的两侧设置有引线装置,所述晶粒1、和引线装置的一端依次相连,所述环氧模塑料4将所述晶粒1和引线装置的一端包覆在内。这样,引线装置的设置可使得本实用新型的连接更为可靠。
上述结构中,所述晶粒1设置有基区2,使得晶粒成为PIN硅片,因基区2很薄,反向恢复电荷很小,所以快恢复二极管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高。
作为优选方式,所述引线装置为一干字结构,包括一连接层3、一防护层5和一引线6,所述连接层3与所述引线6的一端连接至连接层3中央,所述防护层5中央与所述引线6连接并与所述连接层3隔有适当距离。如此,所述晶粒1和所述连接层3相连侧的表面积相等,这样大幅提高了晶粒1与引线装置的连接面积,使得连接稳固性大幅提高。在二极管的制作工艺中,对引线的处理中存在电镀锡这样一个步骤,在该步骤中引线6放入电镀槽中滚动时,由于防护层5的存在,使得电镀液不至于粘附在晶粒1上,从而确保了产品的质量。
同时,所述快恢复二极管为环保材料制作,二极管的组成材料晶粒1、引线装置等均采用符合中国“电子信息产品污染控制管理办法”的有关规定,同时也符合欧盟环保法规标准,产品中五氧化砷等15种高关注物质含量均低于0.1%的标准,能够节省资源、减少对环境的污染。
同时,采用本实用新型的技术方案后,本实用新型产品最大平均正向整流电流为3安培,反向击穿电压大于等于1000V,反向漏电流小于10微安,反向恢复时间视型号不同,不超过500ns,工作温度可介于-65度至150度直之间,产品性能符合设计要求和国家标准。
以上所述,仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本领域的技术人员在本实用新型所揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于连云港金堂福半导体器件有限公司,未经连云港金堂福半导体器件有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201120008397.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类





