[发明专利]一种太阳能电池不合格半成品的处理方法有效
申请号: | 201110460022.2 | 申请日: | 2011-12-31 |
公开(公告)号: | CN102496662A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 王志国;李龙;王涛;张占;郎芳;孙小娟 | 申请(专利权)人: | 保定天威英利新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 071051 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 不合格 半成品 处理 方法 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池制造技术领域,尤其涉及一种太阳能电池不合格半成品的处理方法。
背景技术
常规太阳能电池的制备过程主要包括:制绒、扩散、湿法刻蚀、PECVD、印刷、烧结和测试。其中,制绒主要是利用化学药品将P型硅片的表面腐蚀成凹凸不平的表面结构,增加光在硅片表面的反射次数,从而达到增加光吸收的目的;扩散是在P型硅片的表面扩散一薄层的N型硅,从而形成PN结;湿法刻蚀是利用一定比例的化学药品对硅片的腐蚀特性,除去硅片背面及周边的扩散层,达到使硅片正面和背面绝缘的目的;PECVD是在硅片表面沉积一层折射率低于硅片本身折射率的氮化硅薄膜,从而起到减反射的作用;印刷是利用丝网印刷技术,在硅片表面涂上一层具有导电性能的浆料,在经过后面的高温烧结炉烧结后,与硅片表面形成良好的欧姆接触,至此,成品电池制备完成。测试是对每一片太阳能电池的电性能参数进行评测。
但是,在太阳能电池制备过程中,每道工序都会因为人为或设备的原因给太阳能电池的表面带来一定的缺陷。比如:制绒工序造成的黄斑,扩散引起的黑斑,湿法刻蚀工序清洗不干净的水痕、残留的药液,PECVD镀膜不合格以及印刷效果不好等。这些具有表面缺陷的半成品硅片,如果直接投入到正常生产中,不仅会影响正常的生产秩序,而且这些具有表面缺陷的半成品硅片经过烧结工序后,会一部分成为不合格电池,一部分成为破损电池,严重影响了太阳能电池的成品合格率。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种太阳能电池不合格半成品的处理方法,可以提高太阳能电池的成品合格率,而且不会影响正常生产。
为解决上述问题,本发明实施例提供了如下技术方案:
一种太阳能电池不合格半成品的处理方法,该方法包括:
将太阳能电池不合格半成品按印刷前造成的缺陷和印刷后造成的缺陷分为两类,并分别记为第一类不合格半成品和第二类不合格半成品;
去除第二类不合格半成品上的浆料,之后用碱性溶液对其进行清洗;
判断采用碱性溶液清洗后的第二类不合格半成品能否通过印刷工艺而消除缺陷,如果能,则对其进行印刷,如果否,则将其记为第三类不合格半成品;
采用酸性溶液对第一类不合格半成品和第三类不合格半成品进行清洗,之后进行制绒。
优选的,上述方法中,去除第二类不合格半成品上的浆料,之后用碱性溶液对其进行清洗,具体包括:
采用酒精分别擦拭第二类不合格半成品正面的银浆料和背面的铝浆料;
将擦拭下来的银浆料和铝浆料分别收集起来以便回收利用;
将去除浆料后的第二类不合格半成品放入盛有碱性溶液的清洗槽内;
开启清洗槽上的超声发生器,使所述第二类不合格半成品在所述碱性溶液中进行超声清洗。
优选的,上述方法中,判断采用碱性溶液清洗后的第二类不合格半成品能否通过印刷工艺而消除缺陷,如果能,则对其进行印刷,如果否,则将其记为第三类不合格半成品,具体包括:
判断采用碱性溶液清洗后的第二类不合格半成品是否是因硅片本身的缺陷而形成,如果否,则对其进行印刷;如果是,则进行下一步骤;
判断因硅片本身的缺陷而形成的第二类不合格半成品能否通过印刷工艺而消除缺陷,如果能,则对其进行印刷;如果否,则将其记为第三类不合格半成品。
优选的,上述方法中,所述酸性溶液为氢氟酸溶液。
优选的,上述方法中,所述碱性溶液为HCS硅片清洗剂。
优选的,上述方法中,所述碱性溶液的浓度为0.7%~0.8%。
优选的,上述方法中,所述碱性溶液的温度为65℃~75℃。
优选的,上述方法中,使所述第二类不合格半成品在所述碱性溶液中进行超声清洗的时间为3~4小时。
优选的,上述方法中,使所述第二类不合格半成品在所述碱性溶液中进行超声清洗,之后还包括:
采用纯水对所述第二类不合格半成品进行冲洗;
将冲洗后的第二类不合格半成品甩干。
优选的,上述方法中,采用纯水对所述第二类不合格半成品进行冲洗的时间为10~15分钟。
与现有技术相比,上述技术方案具有以下优点:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的