[发明专利]多栅极场效应晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底上形成鳍状结构；

在所述鳍状结构和所述基底上形成第一牺牲层；

在所述鳍状结构旁的第一牺牲层中形成焊垫结构；

去除第一牺牲层，并在所述鳍状结构、焊垫结构及基底上覆盖第二牺牲层；

在所述第二牺牲层中形成跨设于鳍状结构顶面和侧壁上的、且与所述焊垫结构相连的栅极；

去除第二牺牲层。

2.如权利要求1所述的多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，在所述鳍状结构旁的第一牺牲层中形成焊垫结构的步骤中，包括：

利用光刻和刻蚀工艺，在所述第一牺牲层中形成第一沟槽；

沉积焊垫材料，填充所述第一沟槽；

进行化学机械研磨，直至暴露所述鳍状结构，以在第一沟槽中形成焊垫结构。

3.如权利要求1所述的多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，在所述第二牺牲层中形成跨设于鳍状结构顶面和侧壁上的、且与所述焊垫结构相连的栅极的步骤中，包括：

利用光刻和刻蚀工艺，在所述第二牺牲层中形成第二沟槽，所述第二沟槽暴露所述鳍状结构的中间区域，并暴露部分所述焊垫结构；

沉积栅极材料，填充所述第二沟槽；

进行化学机械研磨，直至暴露所述第二牺牲层，以形成跨设于鳍状结构顶面和侧壁上的、且与所述焊垫结构相连的栅极。

4.如权利要求1至3中任意一项所述的多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述第一牺牲层的材质为高硅含量聚合物，所述第一牺牲层采用涂覆的方法形成，所述第一牺牲层采用湿法刻蚀去除。

5.如权利要求4所述的多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述高硅含量聚合物中硅的摩尔含量大于35％。

6.如权利要求1至3中任意一项所述的多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述第一牺牲层的材质为无定形碳，所述第一牺牲层采用化学气相沉积法形成，所述第一牺牲层采用等离子灰化法去除。

7.如权利要求1至3中任意一项所述的多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述第一牺牲层的厚度大于所述鳍状结构的厚度，厚度差为10～20nm。

8.如权利要求1至3中任意一项所述的多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述第二牺牲层的材质为高硅含量聚合物，所述第二牺牲层采用涂覆的方法形成，所述第二牺牲层采用湿法刻蚀去除。

9.如权利要求8所述的多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述高硅含量聚合物中硅的摩尔含量大于35％。

10.如权利要求1至3中任意一项所述的多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述第二牺牲层的材质为无定形碳，所述第二牺牲层采用化学气相沉积法形成，所述第二牺牲层采用等离子灰化法去除。

11.如权利要求1至3中任意一项所述的多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述第二牺牲层的厚度大于所述鳍状结构的厚度，厚度差为10～20nm。

12.如权利要求1至3中任意一项所述的多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述鳍状结构的材质为单晶硅、锗或硅锗化合物。

13.如权利要求1至3中任意一项所述的多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述鳍状结构的高度为30nm～100nm，所述鳍状结构的宽度为10nm～30nm。

14.如权利要求1至3中任意一项所述的多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述栅极为多晶硅栅极或金属栅极。

15.如权利要求1至3中任意一项所述的多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述栅极的厚度大于所述焊垫结构的厚度。

16.如权利要求1至3中任意一项所述的多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述基底包括硅衬底和位于硅衬底上的埋氧绝缘层。