[发明专利]修正布局图案的方法以及制作光掩膜的方法

权利要求书

1.一种修正布局图案的方法，包括：

提供一第一布局图案与一第二布局图案，其中该第一布局图案包括一第一导线图案，该第二布局图案包括至少一接触孔图案，且该接触孔图案与该第一导线图案至少部分重叠；

提供一对位误差值；

通过一电脑系统检测该接触孔图案与该第一导线图案间的距离是否小于该对位误差值；

自该接触孔图案与该第一导线图案间距离小于该对位误差值的一对边扩大该接触孔图案以取得一第一修正后接触孔图案；

提供一第三布局图案，其中该第三布局图案包括第二导线图案与第三导线图案，且该接触孔图案与该第二导线图案至少部分重叠；

提供一临界间距；

通过该电脑系统检测该第一修正后接触孔图案与该第三导线图案间的一距离是否小于该临界间距；以及

自该第一修正后接触孔图案与该第三导线图案间距离小于该临界间距的一边缩小该第一修正后接触孔图案以取得一第二修正后接触孔图案，其中该第二修正后接触孔图案与该第三导线图案间的距离大于或等于该临界间距。

2.如权利要求1所述的修正布局图案的方法，其中扩大该接触孔图案的方法包括将该接触孔图案增加一修正长度。

3.如权利要求2所述的修正布局图案的方法，其中该修正长度大于或等于该对位误差值。

4.如权利要求2所述的修正布局图案的方法，其中该对位误差值与该接触孔图案至该第一导线图案间的距离的一差值小于或等于该修正长度。

5.如权利要求1所述的修正布局图案的方法，其中该对位误差值小于10纳米。

6.如权利要求1所述的修正布局图案的方法，其中该临界间距小于10纳米。

7.一种制作光掩膜的方法，包括：

提供一第一布局图案、一第二布局图案以及一第三布局图案，其中该第一布局图案包括一第一导线图案，该第二布局图案包括至少一接触孔图案，该第三布局图案包括一第二导线图案以及一第三导线图案，该接触孔图案与该第一导线图案至少部分重叠，且该接触孔图案与该第二导线图案至少部分重叠；

提供一对位误差值以及一临界间距；

通过一电脑系统检测该接触孔图案与该第一导线图案间的距离是否小于该对位误差值；

自该接触孔图案与该第一导线图案间距离小于该对位误差值的一对边扩大该接触孔图案以取得一第一修正后接触孔图案；

通过该电脑系统检测该第一修正后接触孔图案与该第三导线图案间的一距离是否小于该临界间距；

自该第一修正后接触孔图案与该第三导线图案间距离小于该临界间距的一边缩小该第一修正后接触孔图案以取得一第二修正后接触孔图案，其中该第二修正后接触孔图案与该第三导线图案间的距离大于或等于该临界间距；以及

将该第二布局图案输出至至少一光掩膜。

8.如权利要求7所述的制作光掩膜的方法，其中该对位误差值小于10纳米。

9.如权利要求7所述的制作光掩膜的方法，其中该临界间距小于10纳米。

10.如权利要求7所述的制作光掩膜的方法，其中扩大该接触孔图案的方法包括将该接触孔图案增加一修正长度。

11.如权利要求10所述的制作光掩膜的方法，其中该修正长度大于或等于该对位误差值。

12.如权利要求10所述的制作光掩膜的方法，其中该对位误差值与该接触孔图案至该第一导线图案间的距离的一差值小于或等于该修正长度。