[发明专利]高抗压强度低密度的陶瓷金属复合材料的制备方法

权利要求书

1.一种高抗压强度低密度的陶瓷金属复合材料的制备方法，其特征在于，步骤如下：

(1)造粒成型：以掺杂碳化硅陶瓷粉末和碳化硼粉末为陶瓷物料，将质量百分比为5～50％的掺杂碳化硅陶瓷粉末和余量碳化硼粉末加入三维行星式混粉机进行混粉；在混匀后的陶瓷物料中加入质量浓度为4％的粘结剂PVA并混合造粒，粘结剂PVA的加入量为陶瓷物料总质量的2～10％；造粒后，再采用24～60目筛子过筛；静置12小时后再将所造粒子置于铸铁模具中加压成型，得到预制坯，模压压力为50～120MPa，保压30～150s，

(2)无压烧结：将预制坯置于真空烧结炉中，抽真空，真空为10^-2Pa，以5～10℃/min速度升温至1600～1900℃烧结，保温0.5～2h，得到B₄C-SiC基多孔预烧体，

(3)无压浸渗：将铝块放在B₄C-SiC基多孔预烧体上，并共同放置在真空烧结炉中升温至1000～1200℃，保温0.5～2h，得到陶瓷金属，

(4)热处理：将陶瓷金属放置热处理炉中，并加热至650～900℃温度，保温8～24h后取出，并置于水中做淬火处理。

2.根据权利要求1的高抗压强度的陶瓷金属复合材料的制备方法，其特征在于，所述碳化硼粉末的平均粒径分布为2.0～8.0μm，碳化硼粉末的质量浓度＞92％，碳化硅粉末的平均粒径分布为1.0～5.0μm，碳化硅粉末的质量浓度＞90％。

3.按照权利要求1所述的高抗压强度的陶瓷金属复合材料的制备方法，其特征在于作为浸渗的铝块采用的纯铝的纯度＞99.9％。

4.按照权利要求1所述的高抗压强度的陶瓷金属复合材料的制备方法，其特征在于，所获得的B₄C-SiC基多孔预烧体的孔隙率为25％～35％。

5.按照按照权利要求1所述的高抗压强度的陶瓷金属复合材料的制备方法，其特征在于放入铝块的体积大于B₄C-SiC基多孔预烧体中的孔隙体积。