[发明专利]一种扩散电阻的仿真方法及系统

说明书

技术领域

本发明涉及电路领域，尤其涉及一种扩散电阻的仿真方法及系统。

背景技术

电阻是集成电路中的常用器件之一，常用的电阻包括多晶电阻和扩散电阻。

现有技术中对于包含第三端的扩散电阻进行仿真时，一般使用以下公式1所示的三端电阻模型作为扩散电阻的电阻模型。

R＝R0*(1+pvc1*abs((v(n3，n1)+v(n3，n2))/2)+pvc2*(v(n3，n1)+v(n3，n2))/2*(v(n3，n1)+v(n3，n2))/2)                                                        (1)

但是，发明人发现，利用该三端电阻模型对包含第三端的扩散电阻进行仿真时，仿真结果偏差大，仿真精度低。

发明内容

有鉴于此，本发明要解决的技术问题是，提供一种扩散电阻的仿真方法及系统，能够提高扩散电阻的仿真精度。

为此，本发明实施例采用如下技术方案：

本发明实施例提供一种扩散电阻的仿真方法，包括：

将扩散电阻的第一端接预设第一电压，第二端接地，对第三端进行电压扫描，扫描电压取值为0至预设第二电压；测量对第三端进行电压扫描的过程中扩散电阻的电流；根据对第三端进行电压扫描过程中扩散电阻第三端的扫描电压和测量得到的电流，确定扩散电阻的第三端调制效应的一阶电压系数和二阶电压系数；

将扩散电阻的第三端接地，第一端和第二端中的一端接地，对另一端进行电压扫描，扫描电压取值为0至预设第三电压；测量对所述另一端进行电压扫描的过程中扩散电阻的电流；根据对所述另一端进行电压扫描的过程中所述另一端的扫描电压和测量得到的电流、以及所述一阶电压系数和二阶电压系数，确定扩散电阻的速度饱和效应的一阶电压系数和二阶电压系数；

根据扩散电阻的第三端调制效应的一阶电压系数和二阶电压系数，以及速度饱和效应的一阶电压系数和二阶电压系数建立扩散电阻的仿真模型；

根据所述仿真模型进行扩散电阻的仿真。

根据对第三端进行电压扫描过程中扩散电阻第三端的扫描电压和测量得到的电流，确定扩散电阻的第三端调制效应的一阶电压系数和二阶电压系数包括：

根据扩散电阻第三端的扫描电压以及测量得到的扫描电压对应的电流计算扩散电阻第三端的扫描电压对应的扩散电阻的电阻值；

将扩散电阻第三端的扫描电压以及第三端的扫描电压对应的扩散电阻的电阻值代入到以下公式中，提取出扩散电阻的第三端调制效应的一阶电压系数和二阶电压系数；

R(V1)＝R0*[1+pvc1*abs(V3)+pvc2*V3*V3]

其中，R0表示扩散电阻的零偏压电阻值，V3表示扩散电阻第三端的电压，pvc1表示第三端调制效应的一阶电压系数；pvc2表示第三端调制效应的二阶电压系数；R(V1)表示扩散电阻第三端的扫描电压对应的扩散电阻的电阻值。

根据对所述另一端进行电压扫描的过程中所述另一端的扫描电压和测量得到的电流、以及所述一阶电压系数和二阶电压系数，确定扩散电阻的速度饱和效应的一阶电压系数和二阶电压系数包括：

根据所述另一端的扫描电压以及测量得到的扫描电压对应的电流计算所述另一端的扫描电压对应的扩散电阻的电阻值；

将所述另一端的扫描电压以及所述另一端的扫描电压对应的扩散电阻的电阻值代入到以下公式中，提取出扩散电阻的速度饱和效应的一阶电压系数和二阶电压系数；

R(V1)＝R0*[1+pvc1*abs(V2/2)+pvc2*(V2/2)*(V2/2)]*(1+pvc3*V2+pvc4*V2*V2)；

其中，R0表示扩散电阻的零偏压电阻值，V2表示所述另一端的电压，pvc3表示速度饱和效应的一阶电压系数；pvc4表示速度饱和效应的二阶电压系数；R(V1)表示所述另一端的扫描电压对应的扩散电阻的电阻值。

根据扩散电阻的第三端调制效应的一阶电压系数和二阶电压系数，以及速度饱和效应的一阶电压系数和二阶电压系数建立扩散电阻的仿真模型包括：

将所述扩散电阻的第三端调制效应的一阶电压系数和二阶电压系数，以及速度饱和效应的一阶电压系数和二阶电压系数代入到以下公式中，建立扩散电阻的仿真模型；