[发明专利]一种扩散电阻的仿真方法及系统有效
申请号: | 201110448637.3 | 申请日: | 2011-12-28 |
公开(公告)号: | CN102521466A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 张磊兢;胡林辉 | 申请(专利权)人: | 上海新进半导体制造有限公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50;G01R27/14 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明;王宝筠 |
地址: | 200241 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 扩散 电阻 仿真 方法 系统 | ||
1.一种扩散电阻的仿真方法,其特征在于,包括:
将扩散电阻的第一端接预设第一电压,第二端接地,对第三端进行电压扫描,扫描电压取值为0至预设第二电压;测量对第三端进行电压扫描的过程中扩散电阻的电流;根据对第三端进行电压扫描过程中扩散电阻第三端的扫描电压和测量得到的电流,确定扩散电阻的第三端调制效应的一阶电压系数和二阶电压系数;
将扩散电阻的第三端接地,第一端和第二端中的一端接地,对另一端进行电压扫描,扫描电压取值为0至预设第三电压;测量对所述另一端进行电压扫描的过程中扩散电阻的电流;根据对所述另一端进行电压扫描的过程中所述另一端的扫描电压和测量得到的电流、以及所述一阶电压系数和二阶电压系数,确定扩散电阻的速度饱和效应的一阶电压系数和二阶电压系数;
根据扩散电阻的第三端调制效应的一阶电压系数和二阶电压系数,以及速度饱和效应的一阶电压系数和二阶电压系数建立扩散电阻的仿真模型;
根据所述仿真模型进行扩散电阻的仿真。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,根据对第三端进行电压扫描过程中扩散电阻第三端的扫描电压和测量得到的电流,确定扩散电阻的第三端调制效应的一阶电压系数和二阶电压系数包括:
根据扩散电阻第三端的扫描电压以及测量得到的扫描电压对应的电流计算扩散电阻第三端的扫描电压对应的扩散电阻的电阻值;
将扩散电阻第三端的扫描电压以及第三端的扫描电压对应的扩散电阻的电阻值代入到以下公式中,提取出扩散电阻的第三端调制效应的一阶电压系数和二阶电压系数;
R(V1)=R0*[1+pvc1*abs(V3)+pvc2*V3*V3]
其中,R0表示扩散电阻的零偏压电阻值,V3表示扩散电阻第三端的电压,pvc1表示第三端调制效应的一阶电压系数;pvc2表示第三端调制效应的二阶电压系数;R(V1)表示扩散电阻第三端的扫描电压对应的扩散电阻的电阻值。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,根据对所述另一端进行电压扫描的过程中所述另一端的扫描电压和测量得到的电流、以及所述一阶电压系数和二阶电压系数,确定扩散电阻的速度饱和效应的一阶电压系数和二阶电压系数包括:
根据所述另一端的扫描电压以及测量得到的扫描电压对应的电流计算所述另一端的扫描电压对应的扩散电阻的电阻值;
将所述另一端的扫描电压以及所述另一端的扫描电压对应的扩散电阻的电阻值代入到以下公式中,提取出扩散电阻的速度饱和效应的一阶电压系数和二阶电压系数;
R(V1)=R0*[1+pvc1*abs(V2/2)+pvc2*(V2/2)*(V2/2)]*(1+pvc3*V2+pvc4*V2*V2);
其中,R0表示扩散电阻的零偏压电阻值,V2表示所述另一端的电压,pvc3表示速度饱和效应的一阶电压系数;pvc4表示速度饱和效应的二阶电压系数;R(V1)表示所述另一端的扫描电压对应的扩散电阻的电阻值。
4.根据权利要求1至3任一项所述的方法,其特征在于,根据扩散电阻的第三端调制效应的一阶电压系数和二阶电压系数,以及速度饱和效应的一阶电压系数和二阶电压系数建立扩散电阻的仿真模型包括:
将所述扩散电阻的第三端调制效应的一阶电压系数和二阶电压系数,以及速度饱和效应的一阶电压系数和二阶电压系数代入到以下公式中,建立扩散电阻的仿真模型;
R=R0(1+pvc1((abs(V1-V3)+abs(V2-V3))/2)+pvc2((abs(V1-V3)+abs(V2-V3))/2)*((abs(V1-V3)+abs(V2-V3))/2)))*(1+pvc3*abs(V2-V1)+pvc4(V2-V1)*(V2-V1));
其中,V1表示第一端和第二端中接地一端的电压;V2表示所述另一端的电压;V3表示第三端的电压;abs表示绝对值,R表示扩散电阻的电阻值。
5.根据权利要求1至4任一项所述的方法,其特征在于,所述预设第一电压不大于0.5V。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述预设第一电压为0.1V。
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