[发明专利]一种太阳能电池有效
申请号: | 201110446580.3 | 申请日: | 2011-12-28 |
公开(公告)号: | CN102544128A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 王仙芳;李军勇;黄小龙;高慧慧 | 申请(专利权)人: | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 338000 江西省新余*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 | ||
技术领域
本发明属于太阳能电池领域,尤其涉及一种太阳能电池。
背景技术
太阳能电池,也称光伏电池,是一种将太阳能的光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品,不会引起环境污染,而且是可再生资源,所以在当今能源短缺的情形下,太阳能电池是一种有广阔发展前途的新型能源。
图1所示为现有技术中太阳能电池的正电极的示意图,该正电极由3条互相平行的主栅线91以及若干条与主栅线91垂直且等间距的副栅线92组成。主栅线91和副栅线92是太阳能电池的重要组成部分,副栅线92用于收集硅片中因光伏效应产生的光生载流子,并将这些光生载流子传输到主栅线91上,由主栅线91最终导出电流。
但是,现有的太阳能电池存在以下缺陷:
(1)现有的正电极正面的主栅线91宽度较大,其宽度一般大于4mm,使得主栅线91遮光面积较大,另一方面导致主栅线91与硅片之间的接触电阻较高,从而降低电池片的转换效率。
(2)印刷主栅线91和副栅线92需要银浆作为导电浆料,但是主栅线91覆盖在硅片上的面积较大,使得银浆的使用量增加,导致太阳能电池片的制作成本较高。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的缺陷,提供一种减小主栅线覆盖面积和银浆使用量的太阳能电池。
本发明是这样实现的,一种太阳能电池,包括硅片,所述硅片上印刷有若干条互相平行的主栅线和若干条与所述主栅线垂直且等间距的副栅线,所述主栅线由依次连接的第一栅线段、第二栅线段和第三栅线段组成,所述第一栅线段和第三栅线段分别位于所述硅片的两相对边缘;
所述第一栅线段的宽度为0~4mm;
所述第二栅线段由若干个依次交替连接的连接单元组成,所述连接单元包括互相连接的一连接段和一结点,所述连接段垂直于所述副栅线的长边尺寸为0.5~5倍两相邻所述副栅线的间距,所述连接段平行于所述副栅线的短边尺寸为0~4mm且小于所述第一栅线段的宽度,所述连接段的短边与所述结点连接,所述结点平行于所述副栅线的宽度大于所述连接段的短边尺寸且小于4mm,所述结点垂直于所述副栅线的长度为0.5~1倍的两相邻所述副栅线的间距;
所述第三栅线段的宽度为0~4mm所述第一栅线段的长度为1~15倍的两相邻所述副栅线的间距。
所述第三栅线段的长度为1~15倍的两相邻所述副栅线的间距。
其中,所述主栅线为2~3条。
所述连接段为矩形。
所述结点的形状为六边形、矩形或圆形。
所述第一栅线段和第三栅线段均由等腰梯形和矩形组成;所述等腰梯形平行于所述副栅线的上底为0~4mm,所述等腰梯形平行于所述副栅线的下底为0~4mm,所述等腰梯形垂直于所述副栅线的高为1~3倍的两相邻副栅线的间距;所述矩形平行于所述副栅线的宽为0~4mm,所述矩形垂直于所述副栅线的长为3~5倍的两相邻副栅线的间距。
所述主栅线和副栅线所形成的图案的外形尺寸为153mm×153mm、147mm×147mm、122mm×122mm。
所述硅片的外形尺寸为156mm×156mm、150mm×150mm、125mm×125mm。
本发明的主栅线与现有技术中的主栅线相比,由于本发明的主栅线的连接段的短边尺寸为0~4mm,且小于第一栅线段和第三栅线段的宽度,因而减小了主栅线的遮光面积,显著降低了因主栅线遮挡而引起的功率损耗;而且,由于连接段的尺寸较小,还减少了印刷主栅线的银浆使用量,降低了太阳能电池的制造成本。另外,本发明通过在主栅线上设置多个结点,提高了主栅线与硅片之间的连接强度,解决了因主栅线的连接段宽度减小而导致主栅线与硅片之间连接强度减小甚至易脱落的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中提供的太阳能电池的示意图;
图2为本发明实施例一所提供的太阳能电池的示意图;
图3为图2中的A处放大图;
图4为本发明实施例二所提供的太阳能电池的示意图;
图5为图4中的B处放大图;
图6为本发明实施例三所提供的太阳能电池的示意图;
图7为图6中的C处放大图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的