[发明专利]一种基于BCB/Au制作集成射频贴片微带天线的方法有效
申请号: | 201110434081.2 | 申请日: | 2011-12-21 |
公开(公告)号: | CN102570018A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 王天喜;罗乐;徐高卫;汤佳杰;宋恩亮 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q13/08 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 潘振甦 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 bcb au 制作 集成 射频 微带 天线 方法 | ||
技术领域
本发明提供了一种采用微电子工艺制作的微波射频天线方法,用于圆片级封装,属于圆片级射频封装技术领域。
背景技术
天线在无线射频领域不可或缺。微带天线是20世纪70年代初期研制成功的一种新型天线。和常用的微波天线相比,它有如下一些优点:体积小,重量轻,低剖面,能与载体共形,制造简单,成本低;电器上的特点是能得到单方向的宽瓣方向图,最大辐射方向在平面的法线方向,易于和微带线路集成,易于实现线极化或圆极化。相同结构的微带天线可以组成微带天线阵,以获得更高的增益和更大的带宽。因此微带天线得到愈来愈广泛的重视。传统的射频贴片天线一般做在PCB(印刷电路板)上,通过同轴电缆与发射电路连接。此种方法虽然具有上述诸多优点,但是基板材料的介电常数,厚度,以及天线的尺寸一致性较差,特别是在比较高的频带,这些误差会对天线参数造成很大影响,往往在制作出来后,需要进一步的调试才能使用,使生产效率降低,增加了成本。另外,传统的贴片天线和集成电路是分开的,连在一起时会受到连接器的限制,产生一些问题:如阻抗匹配,寄生电感,寄生电容等。
由于以上缺点,制作在硅片上的天线应运而生,它和集成电路一起,这种天线制作工艺精确,一致性好,得到了广泛的应用。但是,这种天线有一种缺点,即基板较薄,一般只有几十μm甚至不到1μm,使带宽大大降低。提高基板厚度h在硅上实现比较困难,文献报道中常用的办法是在硅上刻蚀槽,在槽中填充固体介电材料使与周围高度一致,然后用液体把天线图形做在其上,这种方法使得天线基板材料有至少两种,天线损耗增大,而且天线图形和馈线的基板材料不同,容易产生阻抗不匹配,同时仿真和工艺制作较麻烦;另一种是在槽中填充和其他区域形同的介电材料(一般为液体),然后固化,这种方法在槽的深度较浅的时候还可以使用,但是在大深度时候,经常导致天线表面的平整性不好,对天线造成不良影响。
发明内容
针对传统贴片天线的缺点,本发明的目的在于提出一种基于BCB/Au制作集成射频贴片微带天线的方法,特别是对上述腐蚀槽的方法进行了改进,使得在大深度情况下,可以用同样的材料并且使槽上方的平整度和周围保持一致。此方法和埋置型圆片级射频封装工艺完全兼容,可以和MMIC(单片微波集成电路Monolithic Microwave Integrated Circuit)封装工艺一起制作,不需要增加额外的步骤。
本发明的具体制作方案:a)以氧化硅为掩膜,用各向异性腐蚀液KOH在硅片上刻蚀一个深度为200-400μm的深槽;
b)在步骤a形成的深槽中,填充相对介电常数<3.5的BCB材料,利用液体的表面张力,使BCB(苯并环丁烯benzocyclobutene)液体表面高出硅片的平面,高出的体积补偿填充的BCB固化时的收缩;
c)将步骤b深槽中填充有BCB的硅片放在热回流炉中分二阶段固化,第一阶段固化温度为170-190℃;第二阶段固化温度为210-250℃,然后降至常温;以确保后续的高温中充填的BCB介电材料不再收缩;同时,固化后充填的BCB表面不平,中间凹陷四周凸起;
d)步骤c固化后,植球形成Au焊球,引出所述天线的地线;
e)在涂胶机上再涂覆一层BCB,涂覆后静止2-4小时,然后固化,由常温升温到210-230℃,时间为20-40min,保温40-60min,最后线性降温,降温时间为20-40min;使表面的平整度进一步提高;
f)在步骤e完成之后,进行CMP(化学机械抛光Chemical Mechanical Planarization)工艺,使表面更平整,Au焊球露出;
g)光刻电镀的方法在深槽上方制作天线的图形,其步骤是:
①首先在BCB表面溅射一层种子层TiW/Au,厚度分别为
②然后涂覆光刻胶,光刻,显影,在槽的上方露出天线图形窗口,然后电镀Au;
③最后去胶、去除种子层,留下天线图形。
其进一步特征是:
(1)所述的步骤e中再涂覆一层BCB介质层厚度为20-50μm。
(2)所述的步骤c中第一阶段固化温度为180℃,第二阶段固化温度为230℃。
(3)步骤d所述的Au焊球高度为20-50μm。
(4)步骤d所述的Au焊球高度为30-40μm。
(5)所述的步骤e中再涂覆一层BCB介质层厚度为25-40μm。
(6)所述的步骤g中②所述电镀Au厚度为2-5μm。
(7)所述的方法,其特征在于:
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