[发明专利]开关电源电路及其功率因数校正控制电路

权利要求书

1.一种用于开关电源电路的功率因数校正控制电路，包括：

整流输入电路，其包括用于对所述开关电源电路的输入交流电压进行整流的整流二极管及连接至整流二极管的并联的第一分压电路和第二分压电路；

功率因数校正电路，其用于对整流后的电压进行功率因数校正；

过压和欠压保护电路，其连接在所述整流输入电路与所述功率因数校正电路之间，用于当第一分压电路的分压大于预定的过压门槛电压或者第二分压电路的分压低于预定的欠压门槛电压时使所述功率因数校正电路关断，其中，过压门槛电压被设置为使得所述开关电源电路的输出电压比其输入电压整流后的电压大，欠压门槛电压用于防止低压输入时所述功率因数校正电路输出最大负载而损坏所述功率因数校正电路中的功率器件。

2.根据权利要求1所述的功率因数校正控制电路，其特征在于，所述第一分压电路和第二分压电路为电阻分压电路。

3.根据权利要求1所述的功率因数校正控制电路，其特征在于，所述过压和欠压保护电路包括：

开关电路，其用于控制所述功率因数校正电路的导通和关断；

过压保护电路，其用于当所述第一分压电路的分压大于所述过压门槛电压时向所述开关电路发送使所述开关电路关断的信号，以使所述功率因数校正电路关断；

欠压保护电路，其用于当所述第二分压电路的分压大于所述欠压门槛电压时向所述开关电路发送使所述开关电路关断的信号，以使所述功率因数校正电路关断。

4.根据权利要求3所述的功率因数校正控制电路，其特征在于，所述功率因数校正电路为交错式功率因数校正控制芯片。

5.根据权利要求4所述的功率因数校正控制电路，其特征在于，所述交错式功率因数校正控制芯片为R2A20104。

6.根据权利要求5所述的功率因数校正控制电路，其特征在于，所述第一分压电路包括串联连接的第一电阻和第二电阻，所述第二分压电路包括串联连接的第三电阻和第四电阻，并且

所述过压保护电路包括：

过压比较器，其同相输入端连接至第三电阻和第四电阻的串联节点，其反相输入端通过第五电阻连接至所述交错式功率因数校正控制芯片的VREF脚，其输出端通过第一反馈电阻连接至其反相输入端，同时该输出端通过第六电阻连接至直流电源；

第三二极管，其负极连接至过压比较器的输出端与第六电阻之间的节点，其正极连接至开关电路；

所述欠压保护电路包括：

欠压比较器，其反相输入端连接至第一电阻和第二电阻的串联节点，其同相输入端通过第七电阻连接至所述交错式功率因数校正控制芯片的VREF脚，其输出端通过第二反馈电阻连接至其同相输入端，同时该输出端通过第八电阻连接至直流电源；

第四二极管，其负极连接至欠压比较器的输出端与第八电阻之间的节点，其正极连接至开关电路。

7.根据权利要求6所述的功率因数校正控制电路，其特征在于，所述开关电路包括：

光耦合器，其基极连接至第三二极管的正极和第四二极管的正极，并通过第九电阻连接至直流电源，其集电极连接至所述交错式功率因数校正控制芯片的SS脚，并通过第十电阻连接至直流电源，其发射极接地。

8.根据权利要求6所述的功率因数校正控制电路，其特征在于，所述开关电路包括：

MOS管，其栅极连接至第三二极管的正极和第四二极管的正极，并通过第九电阻连接至直流电源，其漏极连接至所述交错式功率因数校正控制芯片的SS脚，并通过第十电阻连接至直流电源，其源极接地。

9.一种开关电源电路，其特征在于，包括权利要求1-8中的任何一个所述的功率因数校正控制电路。