[发明专利]蓝宝石衬底材料的退火工艺有效
| 申请号： | 201110432004.3 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103177972A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 张卫兴 | 申请（专利权）人： | 张卫兴 |
| 主分类号： | H01L21/477 | 分类号： | H01L21/477;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 顾进 |
| 地址： | 210003 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蓝宝石 衬底 材料 退火 工艺 | ||
1.一种蓝宝石衬底材料的退火工艺，包括以下步骤：
A将蓝宝石衬底材料放入电加热炉；
B第一次升温：电加热炉升温至300℃~500℃，恒温10~60分钟；
C第二次升温：电加热炉升温至700℃~900℃，恒温10~60分钟；
D第三次升温：电加热炉升温至960℃~1550℃，恒温60~240分钟；
E第一次降温：电加热炉降温至700℃~900℃，恒温10~60分钟；
F第二次降温：电加热炉降温至300℃~500℃，恒温10~60分钟；
G第三次降温：关闭电加热炉，使其自然冷却。
2.根据权利要求1所述的蓝宝石衬底材料的退火工艺，其特征在于：
所述步骤A中蓝宝石衬底材料为需要进行单面加工的材料；
所述步骤D为，电加热炉升温至1200℃~1550℃，恒温60~240分钟。
3.根据权利要求2所述的蓝宝石衬底材料的退火工艺，其特征在于：
所述步骤D为，电加热炉升温至1200℃~1450℃，恒温90~180分钟。
4.根据权利要求1中任意一项所述的蓝宝石衬底材料的退火工艺，其特征在于：
所述步骤A中蓝宝石衬底材料为需要进行双面加工的材料；
所述步骤D为，电加热炉升温至960℃~1200℃，恒温60~240分钟。
5.根据权利要求4中任意一项所述的蓝宝石衬底材料的退火工艺，其特征在于：
所述步骤A中蓝宝石衬底材料为需要进行双面加工的材料；
所述步骤D为，电加热炉升温至1020℃~1180℃，恒温90~180分钟。
6.根据权利要求1~5中任意一项所述的蓝宝石衬底材料的退火工艺，其特征在于:所述步骤B、C、D中，升温速率为每5分钟升高1℃。
7.根据权利要求1~5中任意一项所述的蓝宝石衬底材料的退火工艺，其特征在于:所述步骤E、F、G中，降温速率为每5分钟降低1℃。
8.根据权利要求1~5所述的蓝宝石衬底材料的退火工艺，其特征在于:所述步骤A中所述蓝宝石衬底材料在电加热炉中竖放并加以固定。
9.根据权利要求1~5中任意一项所述的蓝宝石衬底材料的退火工艺，其特征在于在退火步骤之前还包括以下步骤：
A1用酸性清洗液对蓝宝石衬底材料进行清洗；
A2对蓝宝石衬底材料进行脱水、烘干。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
