[发明专利]阵列基板及液晶显示器

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种阵列基板及液晶显示器。

背景技术

边缘场开关模式(Fringe Field Switching，FFS)是一种广视角技术，利用公共电极与像素电极间产生的边缘电场来驱动液晶，在宽视角的前提下，实现了高的透过率。

现有技术中采用FFS模式的一种显示器的阵列基板结构如图1所，自下而上依次包括：信号线16、公共电极12、第一绝缘层13和像素电极层14。其中，像素电极层14包括若干像素电极11，另外，设置在公共电极12之下的信号线16，通过第二绝缘层15与公共电极12隔开。

在上述结构中，发明人发现现有技术至少存在如下问题：

如图1所示，现有技术中像素电极的间距A一般为6微米或8微米，当驱动液晶显示时，如图2所示，邻近的两个像素电极11之间会发生电性干涉现象，这两个邻近像素电极11分别带有异种电荷，而同一像素电极的不同部分带有同种电荷，这样在像素电极与邻近像素电极之间会产生水平电场17，而水平电场17会影响液晶分子的转动，使得液晶显示器透过率降低，特别是在每个像素电极边缘的透过率降低。如图2中透过率曲线18所示，在受水平电场17影响的区域即像素电极的边缘和邻近像素电极的边缘，出现透过率降低的现象。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板及液晶显示器，能提高液晶显示器的透过率。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种阵列基板，包括：公共电极、像素电极层和设置在所述公共电极、像素电极层之间的第一绝缘层，所述像素电极层包括若干像素电极，所述像素电极的间距至少为10微米。

本发明实施例所述间距小于等于18微米。

优选地，本发明实施例所述间距为12微米。

进一步地，该阵列基板，还包括：设置在所述公共电极下侧的信号线，所述信号线通过第二绝缘层与所述公共电极隔开。

所述公共电极的材质与所述像素电极的材质均为透明导电材料。

所述公共电极与所述像素电极层之间的间距为0.1微米至0.6微米。

本发明的实施例还提供一种液晶显示器，包括：本发明所述的阵列基板。

本发明实施例中的阵列基板及液晶显示器，像素电极的间距设置为至少10微米，较现有技术变大，降低了因电性干涉产生的水平电场的影响，使得像素电极边缘的透过率提高，从而提高了整个液晶显示器的透过率。

附图说明

图1为现有技术中阵列基板的结构示意图；

图2为现有技术中像素电极边缘透过率降低的示意图；

图3为本发明实施例一中阵列基板的结构示意图一；

图4为本发明实施例一中像素电极层的俯视示意图；

图5为本发明实施例像素电极间距为6微米至18微米时的透过率示意图；

图6为本发明实施例一中阵列基板的结构示意图二。

附图标记：

11-像素电极，12-公共电极，13-第一绝缘层，14-像素电极层，

15-第二绝缘层，16-信号线，17-水平电场，18-透过率曲线。

具体实施方式

本发明实施例提供一种阵列基板及液晶显示器，可提高像素电极边缘的透过率，从而提高液晶显示器的整体透过率。

下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

实施例一

本发明实施例提供一种阵列基板，如图3所示，该阵列基板包括：公共电极12、像素电极层14和设置在所述公共电极12、像素电极层14之间的第一绝缘层13，所述像素电极层14包括若干像素电极11，所述像素电极11的间距至少为10微米。

本实施例中像素电极11的具体构成图形不同，图3所示的像素电极11包括相距4微米的三部分，每一部分的宽度为2微米。像素电极11的具体图形并不影响本发明的实际效果。

本实施例所述像素电极11的间距指某一像素电极边缘到与之相邻的下一像素电极边缘的距离，如图3中所示的间距A。

本实施例所述像素电极11的间距，指图4中所示的像素电极11的纵向间距或横向间距，图中所示信号线16包括纵向的数据线和横向的栅线。