[发明专利]等离子体沉浸离子注入工艺

权利要求书

1.一种对基板进行共形掺杂的方法，所述基板具有沟道，所述沟道具有侧壁和底部部分，所述方法包括：

将所述基板放置在等离子体腔室内；

向所述腔室提供掺杂剂源和蚀刻剂；

在所述腔室中形成电感耦合等离子体；

给所述基板施加偏压；以及

在掺杂剂注入所述侧壁和所述底部部分时，通过调整掺杂剂源和蚀刻剂进入所述腔室的流速的比率，来对掺杂剂注入所述侧壁和所述底部进行控制。

2.如权利要求1所述的方法，其中在掺杂剂被注入所述侧壁时，利用所述蚀刻剂将过量的掺杂剂从所述底部部分去除。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述掺杂剂源包括B₂H₆、P₂H₅、PH₃、GaN、AsF₃或PF₃中的至少一个。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻剂包括BF₃或BCl₃中的至少一个。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述掺杂剂源是B₂H₆，所述蚀刻剂是BF₃。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述比率被顺次地调整。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述比率从约5∶0逐渐变化到约0∶5。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述掺杂剂源包括B₂H₆、P₂H₅、PH₃、GaN、AsF₃或PF₃中的至少一个，所述蚀刻剂包括BF₃或BCl₃中的至少一个，并且掺杂剂源和蚀刻剂的比率从约5∶0逐渐变化到约0∶5。

9.一种将掺杂剂注入基板的方法，所述基板具有沟道，所述沟道具有侧壁和底部部分，所述方法包括：

将基板放置在等离子体沉浸离子注入腔室中；

向所述腔室提供掺杂剂源；

由所述掺杂剂源形成等离子体；

将掺杂剂注入所述侧壁和底部部分；

向所述腔室提供蚀刻剂；以及

在将掺杂剂注入所述底部部分和所述侧壁时，使蚀刻剂与沉积在所述底部部分上的掺杂剂的反应保持平衡。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述掺杂剂源包括B₂H₆、P₂H₅、PH₃、GaN、AsF₃或PF₃中的至少一个。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述蚀刻剂包括BF₃或BCl₃中的至少一个。

12.如权利要求9所述的方法，其中所述掺杂剂源是B₂H₆，所述蚀刻剂是BF₃。

13.如权利要求9所述的方法，其中蚀刻剂流速和掺杂剂源流速构成蚀刻剂和掺杂剂的比率，并且当掺杂剂被注入时，所述比率逐渐提高。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述比率顺次提高。

15.如权利要求13所述的方法，其中提高蚀刻剂和掺杂剂的比率包括逐渐降低掺杂剂源的流速。