[发明专利]使用硅通孔的天线有效
| 申请号： | 201110424041.X | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102800961A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 颜孝璁;吕哲庆;林佑霖;郭晋玮;郑敏祺 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01Q1/48 | 分类号： | H01Q1/48;H01Q1/36 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 硅通孔 天线 | ||
1.一种天线，包括：
基板；
顶板，位于所述基板的上方；
至少一条馈线，连接至所述顶板，每条馈线包括：穿过所述基板的第一硅通孔TSV结构；以及
至少一条地线，连接至所述顶板，每条地线包括：穿过所述基板的第二硅通孔TSV结构，
其中，所述顶板为电导体，所述至少一条馈线被配置为传送射频信号，并且所述至少一条地线被配置为接地。
2.根据权利要求1所述的天线，其中，所述顶板包括多个金属层。
3.根据权利要求1所述的天线，进一步包括：接地板，位于所述基板的下方，其中，所述接地板为电导体，并且连接至所述至少一条地线，
以及其中，所述接地板包括多个金属层。
4.根据权利要求1所述的天线，其中，所述至少一条地线被设置在所述顶板的边缘。
5.根据权利要求1所述的天线，其中，所述至少一条地线被设置为与所述顶板的中心邻近。
6.根据权利要求1所述的天线，其中，在使用所述第一TSV结构的3维封装中，所述至少一条馈线连接至堆叠在所述基板的下方的另一管芯。
7.一种实施天线的方法，包括：
穿过基板为所述天线的馈线形成第一硅通孔TSV；
穿过所述基板为所述天线的地线形成第二硅通孔TSV；以及
在所述基板的上方形成所述天线的顶板，其中，所述顶板为电导体，并且连接至所述第一TSV和所述第二TSV。
8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：在形成所述顶板以前，在所述基板的上方形成隔离层。
9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：在所述基板的下方形成所述天线的接地板，其中，所述接地板为电导体，并且连接至所述第二TSV，
所述方法进一步包括：在形成所述接地板以前，在所述基板的下方形成隔离层。
10.一种天线，包括：
基板；
顶板，位于所述基板的上方；
接地板，位于所述基板的下方；
至少一条馈线，连接至所述顶板，每条馈线包括：穿过所述基板的第一硅通孔TSV结构；以及
至少一条地线，连接至所述顶板，每条地线包括：穿过所述基板的第二硅通孔TSV结构，
其中，所述顶板为电导体，所述至少一条馈线被配置为传送射频信号，在使用所述第一TSV结构的3维封装中，所述至少一条馈线连接至堆叠在所述基板的下方的另一管芯，以及所述至少一条地线被配置为连接至所述接地板。
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