[发明专利]像素结构、主动阵列基板及液晶显示面板有效

专利信息
申请号: 201110396163.2 申请日: 2011-11-29
公开(公告)号: CN102436103A 公开(公告)日: 2012-05-02
发明(设计)人: 刘晋炜;陈文彬 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;祁建国
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 像素 结构 主动 阵列 液晶显示 面板
【说明书】:

技术领域

发明是有关于一种显示面板,且特别是有关于一种显示面板的主动阵列基板及其像素结构。

背景技术

随着显示工艺技术的发展,目前各种数字显示面板大多具备轻薄、低成本、高效能等优点,其中数字显示面板的各种元件(如驱动电路、基板、连接线路)大多透过各种先进工艺进行高度整合,以便在最小体积与最低成本下,达到最佳的显示效果。

为了达到上述目的,开发出了许多显示装置的制造技术,传统的显示面板需设置有大量的源极驱动电路(source driver)与栅极驱动电路(gate driver),以进行垂直与水平方向上的像素驱动。半源极驱动(Half source driver,HSD)设计是将栅极线的数目加倍,使单一数据线(源极线)可同时对应两行相邻的像素,由此节省半数的源极驱动晶片。若进一步搭配主动阵列基板(Gate on array,GOA)设计,将可省下源极驱动晶片的成本且不需要增加栅极驱动晶片成本。

请参阅图1,其是公知技术中一种采用半源极驱动设计的主动阵列基板100的俯视示意图。如图1所示,在半源极驱动设计的空间安排下,上下两条的栅极线G1,G2分别负责操作数据线D1两侧的像素电极P11和像素电极P12。在目前的像素设计中,在像素电极与周围的导电线段之间将形成寄生电容,举例来说,如像素电极P11与栅极线G2之间的像素栅极寄生电容Cpg1、像素电极P12与栅极线G1之间的像素栅极寄生电容Cpg2及像素电极P12与像素电极P21之间的像素侧向寄生电容Cpp,且寄生电容可能使像素电极的电压准位失真。

举例来说,若实际电路采用预充电(pre-charge)驱动方式驱动两栅极线G1,G2时,像素电极P12的栅极线G2关闭时,将透过像素栅极寄生电容Cpg1的耦合效果连带影响像素电极P11,使像素电极P11将会受到额外的栅极线关闭电压拉扯,便会造成在同一共同电压下,像素电极P11与像素电极P12两处的电压准位不同,导致垂直方向的亮暗线。

另一实际例子中,因像素电极P12与像素电极P21之间未设置数据线处将具有像素侧向寄生电容C即。其中,像素电极P12与像素电极P21充电先后不同,若像素电极P12先充电完成,像素电极P21随后充电时,将透过像素侧向寄生电容Cpp的耦合效果连带影响像素电极P12的电压准位,而产生失真、混色画面或垂直亮暗线。

发明内容

为解决上述问题,本发明公开一种显示面板的主动阵列基板及其像素结构。其中,主动阵列基板上设置有多个遮蔽电极,遮蔽电极具有连接线段以及分支线段,连接线段位于两个像素电极之间,用以消除其间的像素侧向寄生电容,分支线段位于像素电极与栅极线之间,用以消除其间的像素栅极寄生电容。主动阵列基板可进一步采用半源极驱动设计,透过上述遮蔽电极的设置,可降低相临的像素电极彼此干扰,并避免失真、混色画面或垂直亮暗线等问题发生。

本揭示内容的一态样是在提供一种像素结构,其设置在一基板上,像素结构包括第一数据线、第二数据线、第一栅极线、第二栅极线、第一像素电极、第二像素电极以及遮蔽电极。第一数据线与第二数据线平行设置在该基板上。第一栅极线与第二栅极线平行设置在该基板上,跟第一数据线与该第二数据线相交,定义出一第一像素区与一第二像素区,位于该第一数据线与该第二数据线之间,且该第一栅极线与该第二栅极线之间。第一像素电极设置在该第一像素区的该基板上,该第一像素电极电性连接该第一数据线与该第二栅极线。第二像素电极设置在该第二像素区的该基板上,该第二像素电极电性连接该第二数据线与该第一栅极线。遮蔽电极设置在该基板上,该遮蔽电极具有一连接线段、一第一分支线段与一第二分支线段,该连接线段位于该第一像素电极与该第二像素电极之间,该第一分支线段位于该第一像素电极与该第一栅极线之间,该第二分支线段位于该第二像素电极与该第二栅极线之间。

根据本揭示内容的一实施例,其中该第一像素区邻近该第一数据线,且该第二像素区邻近该第二数据线。

根据本揭示内容的一实施例,像素结构更包括一第一主动元件,该第一主动元件具有一第一栅极、一第一源极与一第一漏极,该第一栅极电性连接该第二栅极线,该第一源极电性连接该第一数据线,该第一漏极电性连接该第一像素电极。于此实施例中,像素结构更包括第一延伸电极,该第一延伸电极电性连接该第一漏极,且与该第二栅极线的一第二突出部重叠。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110396163.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top