[发明专利]一种光刻机曝光方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术，尤其涉及一种光刻机曝光方法。

背景技术

目前光刻技术伴随集成电路制造工艺的不断进步，线宽的不断缩小，半导体器件的面积正变得越来越小，半导体的布局已经从普通的单一功能分离器件，演变成整合高密度多功能的集成电路；由最初的集成电路(Integrated Circuit，简称IC)随后到大规模集成电路(Large Scale Integration，简称LSI)，超大规模集成电路(Very Large Scale Integration，简称VLSI)，直至今天的特大规模集成电路(Ultra Large Scale Integration，简称ULSI)，器件的面积进一步缩小，功能更为全面强大。考虑到工艺研发的复杂性、长期性和高昂的成本等等不利因素的制约，如何在现有技术水平的基础上进一步提高器件的集成密度，缩小芯片的面积，在同一枚硅片上尽可能多地得到有效的芯片数从而提高整体利益，将越来越受到芯片设计者和制造商的重视。其中光刻工艺就担负着关键的作用，对于光刻技术而言，光刻设备、工艺及掩模板技术即是其中的重中之重。

在光刻工艺中，需要将硅片进行对准然后曝光。对准是确定硅片上图形的位置、方向和变形的过程。对准过程的结果或者每个连续的图形与先前层匹配的精度，被称作套准。套准的精度(即套准精度)是测量套准系统把光掩模板上的图形套准到硅片上图形的能力。

在使用光掩模进行硅片光刻的过程中，传统的曝光方式如图1所示，光刻机从硅片边缘开始重复的依次曝光，图1中的圆形示出硅片2的轮廓，图1中的各个正方形示意硅片2上的芯片1，图1中的带箭头的线示意曝光的顺序和路径。需要说明的是，图1中圆形外部的部分正方形不是表示实际的芯片位置。

曝光的芯片受到高温的光线照射会发生形变，进而影响周边的未被曝光的芯片。由于连续曝光，这一影响会依次传递，从而导致硅片的整体套准精度发生漂移。图2示出了采用现有技术的光刻机曝光方法产生的芯片形变的模拟结果，其中雪花点图案示意前层曝光的芯片6，前层曝光是指上一次光刻工艺层的曝光操作，斜纹图案示意本层曝光的芯片5，本层曝光是指本次光刻工艺层的曝光操作，其中，本层和前层分别属于同一工艺流程的先后不同道工序。从图2中可以看出，本层曝光的芯片与前层曝光的芯片相比发生了形变。

图3示出了采用现有技术的光刻机曝光方法的芯片形变的实际测量数据。从图3的实际测量数据可以看出，曝光后的芯片发生了较为严重的变形。

发明内容

本发明针对现有技术中存在的问题，提供一种光刻机曝光方法，以减少曝光过程中的芯片的形变，进而提高套准精度。

本发明提供了一种光刻机曝光方法，包括：

步骤101、将硅片传送至硅片载片台；

步骤102、开启真空设备使得硅片载片台吸住硅片；

步骤103、进行对准，对所述硅片上的芯片进行分批次曝光，其中，在进行每批次曝光时在曝光路径上以间隔的方式对芯片进行曝光。

其中，所述步骤103中对所述硅片上的芯片进行分批次曝光，可以包括：

在曝光路径上以间隔的方式对芯片进行第一批次曝光，使得曝光路径上两两曝光了的芯片之间间隔一个未被曝光的芯片；

在所述第一批次曝光之后，以间隔方式对于在所述第一批次曝光过程中未被曝光的其余芯片进行曝光。

在上述技术方案的基础上，所述步骤101可以包括在光刻机连续工作的过程中，当具有第一温度的所述硅片被传送至具有第二温度的所述硅片载片台之后，将所述硅片在所述硅片载片台上静置预设时间，使得所述硅片与所述硅片载片台之间的温度相同。

其中，所述预设时间可以为1秒至100秒。较佳地，所述预设时间为10秒。

其中，在所述步骤101中将所述硅片在所述硅片载片台上静置预设时间的过程中，未开启所述真空设备。

本发明提供的光刻机曝光方法，在光刻机连续工作的过程中，将曝光芯片次序进行了重新安排，对硅片上的芯片进行分批次曝光，在每一批次曝光时以间隔方式进行曝光，确保任何在曝光路径上两个连续的芯片不会被依次曝光，待完成首批次曝光之后，再进行下一批次的曝光，这样确保高温的芯片能够冷却而不会将形变传递给邻近的芯片。采用本发明提供的光刻机曝光方法，能够获得更佳的工艺套准进度，并且能够在光刻机连续工作的过程中实现高度的硅片与硅片、批次与批次之间的均匀性。

通过以下参照附图对优选实施例的说明，本发明的上述以及其它目的、特征和优点将更加明显。

附图说明